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一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%
- 供应商为了尽量减少损失,正在推高 NAND Flash 价格。
- 关键字: NAND Flash
预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%
- 据TrendForce集邦咨询研究显示,尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势,但为避免缺货,买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位,而供应商为减少亏损,对于推高价格势在必行,预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。值得注意的是,NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅,但由于短期内涨幅过高,需求脚步却跟不上,后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一,随着部份供应商产能利用率提早拉升
- 关键字: NAND Flash TrendForce
DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息,根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元(IT之家备注:当前约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(当前约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增长 100%。报道中指出,三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
- 关键字: 存储 DRAM NAND Flash
集邦咨询称 2024Q1 手机 DRAM、eMMC / UFS 均价环比增长 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨询近日发布报告,预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)环比增长 18-23%,而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健,由于存储器价格涨势明确,带动买方积极扩大购货需求,以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低,加上原厂减产效应作用,这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
- 关键字: 存储 DRAM NAND Flash
明年半导体暴增20%,哪些赛道市场回暖?
- 今年的半导体可谓寒风瑟瑟,市场下滑的消息从年头传到年尾,半导体企业也疲于应对萧瑟的市场环境,不断传出减产、亏损的消息。熬过冬就是春,最近的半导体市场总算是迎来了一些好消息。IDC 最新的预测,认为半导体市场已经触底,明年开始半导体将会加速恢复增长。在它的预测中,2023 年全球半导体市场收入从 5188 亿美元上调至 5265 亿美元,2024 年收入预期也从 6259 亿美元上调至 6328 亿美元。到明年,全球半导体收入将同比增长 20.2%。IDC 全球半导体供应链技术情报研究经理 Rudy Tor
- 关键字: NAND flash 射频前端 CPU 模拟芯片
300层之后,3D NAND的技术路线图
- 开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
- 关键字: 3D NAND
市况好转 内存厂Q3获利嗨
- NAND Flash现货价于8月中旬反弹,DRAM价格也在9月开始回升,内存市况确立好转,带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报,内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损;内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看,第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商,则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安,财务成绩表现亮眼。此外,威刚14日公告10月自结财务数
- 关键字: 内存 NAND Flash DRAM
预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨
- 据TrendForce集邦咨询最新研究显示,第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低,因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因,供应方面:三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等,持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate
- 关键字: Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR.
简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]