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美光出货全球首款232层NAND,进一步巩固技术领先地位

  • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布已量产全球首款 232 层 NAND。它采用了业界领先的创新技术,从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代 NAND 相比,该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效,能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。   美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层,
  • 关键字: 美光  232层  NAND  

SSD价格还将要大降价:NAND供应过剩

  • 芯研所7月22日消息,TrendForce集邦咨询表示,需求未见好转,NAND Flash产出及制程转进持续,下半年市场供过于求加剧,包含笔记本、电视与智能手机等消费性电子下半年旺季不旺已成市场共识,物料库存水位持续攀升成为供应链风险。因渠道库存去化缓慢,客户拉货态度保守,造成库存问题漫溢至上游供应端,卖方承受的抛货压力与日俱增。芯研所采编TrendForce集邦咨询预估,由于供需失衡急速恶化,第三季NAND Flash价格跌幅将扩大至8~13%,且跌势恐将延续至第四季。按照供应链的说法,虽然仍
  • 关键字: NAND  SSD  存储  

铠侠为实现超高容量SSD,正试验7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

  • NAND Flash制造商一直试图通过增加每个单元存储的位数来提高其存储设备的存储密度,据外媒报导,近日铠侠表示,公司一直在试验在一个单元中存储更多比特数的NAND Flash闪存。据报道,近日铠侠表示,已设法在每个单元中存储7 Bits (7 bpc),尽管是在实验室和低温的条件下。 为了使存储密度更高,存储电压状态的数量将随着每个单元存储Bits的增加呈指数增长。例如,要存储4位,单元必须保持16个电压电平 (2^4),但使用6位,该数字会增长到64(2^6)。而铠侠实现的每个单元
  • 关键字: SSD  NAND Flash  铠侠  

潜力无限的汽车存储芯片

  •   随着智能化、电动化浪潮的推进,汽车芯片的含量成倍提升,电动车半导体含量约为燃油车2倍,智能车为8-10倍。需求增量端2020年全球约需要439亿颗汽车芯片,2035年增长为1285亿颗。价值增量端,2020年汽车芯片价值量为339亿美元,2035年为893亿美元。可见芯片将成为汽车新利润增长点,有望成为引领半导体发展新驱动力。  汽车芯片从应用环节可以分为5类:主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等,以存储芯片为例,2022年全球汽车存储芯片市场规模约52亿美元,国内汽车存储芯片市场规模
  • 关键字: 北京君正  兆易创新  DRAM  NAND  

盈利能力大增,估值较低的存储龙头被看好?

  • 5月30日兆易创新宣布,公司Flash产品累计出货量已超过190亿颗,年出货量超过28亿颗,目前兆易创新在NOR Flash领域已成为中国第一,全球第三,2020年兆易创新NOR Flash产品市场份额达到17.8%。除了NOR Flash存储芯片,兆易创新业务还包括DRAM存储芯片以及存储器和MCU,在过去一段时间行业普遍缺芯的背景下,兆易创新的营收与净利润均实现大幅增长,2021年和2022年一季度公司营收分别增长89.25%和165.33%,归母净利润分别增长39.25%和127.65%。目前芯片行
  • 关键字: 兆易创新  NAND Flash  

中国DRAM和NAND存储技术和产业能赶超韩国吗?

  • 近日,韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)推算,韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为:DRAM的差距约为 5年,NAND 的差距约为2年。该研究院分析,中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半,两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测,在NAND闪存领域,中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
  • 关键字: DRAM  NAND  

长江存储推出UFS 3.1高速闪存,加速5G时代存储升级

  • 近日,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场,将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 :“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

中国SSD行业企业势力全景图

  • 全球范围看,2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元,增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市场规模约占56%,NAND Flash市场规模约占41%(IC Insights数据)。另外,根据CFM 闪存市场预计,2021年全球存储市场规模将达1620亿美元,增长29%,其中DRAM为945亿美元,NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近,相差100亿美元。目前,全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
  • 关键字: 存储芯片  DRAM  NAND Flash  

长江存储SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 这两年,长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘,都呈现火力全开的姿态,从技术到产品都不断推陈出新。6月23日,长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列,可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景,而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压,可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

存储芯片从落后20年,到追上三星、美光,中国厂商只花了6年

  • 近日,有消息称,国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初,会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商,终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片,而大规模应用也要到2023年去了。可见,国产存储芯片,在技术上确实已经追上了三星
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

中国芯片传来捷报,长江存储取得技术突破,正式打破三星垄断

  • 中国芯片传来捷报,长江存储取得重大技术突破,正式打破韩国三星垄断,目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产,预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离,长江存储直接越级跳过了96层,直接进入了128层3D NAND 闪存的研发,并成功在2020年正式宣布研发成功,它是
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

国产存储芯片又取得突破,长江存储192层闪存送样,预计年底量产

  • 头一段时间,有媒体报道称,长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样,预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业,从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立,2017年便推出了32层NAND闪存。2019年,推出64层堆栈3D NAND闪存,并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距,长江存储跳过了96层,直接进行了128层3D NAND 闪存的研发,并在2020年正式宣布研发成功,它是业内首款128层QLC规格的3D N
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

美光针对数据中心推出业界首款基于 176 层 NAND 的SATA SSD

  • 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布推出全球首款专为数据中心工作负载设计的基于 176 层 NAND 技术的SATA 固态硬盘 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先进的数据中心 SATA SSD产品,采用久经考验的第 11 代 SATA 架构,支持广范的应用场景,提供相比传统机械硬盘 (HDD) 显著提升的性能,并延长了 SATA 平台的使用寿命。美光副总裁暨数据中心存储产品总经理 Alvaro Toledo 表示
  • 关键字: 美光  数据中心  176 层 NAND  SATA SSD  

SK海力士首次公开与Solidigm的“合作产品”

  • “独立子公司成立仅三个月,两家公司在事业上的合作全面开始”SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。SK海力士和Solidigm将继续优化两家公司的运营,以创造协同效应和合作伙伴关系。加州圣何塞和南韩首尔2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm(或“公司”, www.skhynix.com)今日首次公开了两家公司共同开发的新企业级SSD(eSSD)产品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
  • 关键字: SK海力士  Solidigm  eSSD  NAND  

针对勒索软件与网络攻击 IBM打造新一代储存产品

  • IBM发布下一代闪存产品,瞄准日益严峻的勒索软件和其他网络攻击。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在帮助企业更快速地检测勒索软件和其他网络攻击并从中恢复;而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存储模型能够提供单一且一致的操作环境,旨在提高混合云环境下的网络复原力和应用程序性能。 IBM 推出下一代储存产品,瞄准勒索软件及其他网络攻击根据IBM网络弹性机构的研究,46%的受访者表示在过去两年中经历了勒索软件攻击。随着网络攻
  • 关键字: NAND Flash  IBM  闪存  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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