- 市场传出，长江存储有意改变策略，越过大股东紫光集团的销售管道，采取自产自销3D NAND芯片的模式，也让双方暗自较劲的角力战俨然成形。
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紫光集团 长江存储 3D NAND
- 当前，我们正在经历第四次工业革命的历史进程，在这里催生了很多新技术和新市场，比如物联网、人工智能、新能源、3D打印、纳米技术等等。这么多新的技术和产品相互激励、互相融合，共同推动半导体行业不断发展，从而改变人类的生活方式。
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物联网 Entegris 3D NAND
- Admin 固态硬盘 今天由于NVMe的价格溢价下降，预计今年PCIe连接驱动器的销售量将与SATA固态硬盘达到同等水平。 据报道，固态硬盘(SSD)和闪存卡中使用的NAND闪存大幅降价正在推动市场两端的销售。制造商正在为相对有利可图的企业和数据中心用例定制新的解决方案，而客户端SSD的低成本正在推动OEM厂商的采用率，以包含在PC中。 根据该报告，最引人注目的是，512 GB固态硬盘的单价与2018年同期的256 GB固态硬盘相匹配，预计到2019年剩余时间内固态硬盘的价格将从512
GB降
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NAND SSD
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND
Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供应商
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NAND UFS SSD
- 根据外媒的报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。 据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512
Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年实现商业化生产。 据报道，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB /
s。据报道，该芯片还采用了CuA(阵列电路)，这是一
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东芝 西数 NAND
- 事实上中国巨额的投入也间接促进了韩、美两国大厂资本开支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的资本开支就达到200亿美金，因此，我国厂商的数字分摊到每年，还难以和龙头厂商相比。虽然在量产初期，如此巨大的资本开支也会给中国企业带来不小的折旧压力，下行周期中技术、管理略逊的中国企业可能必须经历几年内亏损，但若想实现存储器的国产替代，这种投入十分必要。
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NAND 存储器
- 据businesskorea报道，中国计划在未来六年内将在美国的半导体采购增加到2000亿美元(约合225.9万亿韩元)，大约是目前水平的五倍。 然而，许多专家表示，美国急于遏制中国的半导体野心，不太可能接受中国的提议，因为它将增加对中国的半导体依赖。 韩国企业对该计划持谨慎态度，主要有两个原因。 首先，中国没有提及将购买哪一种半导体。一家韩国半导体公司的高级官员表示:“中国没有说明将进口何种半导体芯片，无论是内存、中央处理器(CPU)还是系统半导体芯片。在这种情况下，很难预测对韩国企业的影响。
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NAND DRAM
- ICInsights最新报告显示，大陆的集成电路生产仍远低于政府的目标。报告指出，2018年大陆半导体市场为......
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半导体 晶圆 NAND
- 根据韩国媒体Business Korea报道，由于存储器产业从2018年年底迎来低迷，存储器产品价格下跌，各大存储器厂商先后宣布降低产量以来，虽然三星仍然稳坐半导体产业头把交椅，但是其盈利能力已经受到质疑。 无独有偶，SK海力士等厂商的日子也不好过。头部厂商的日子尚且如此，那还在奋斗中的中国存储器厂商又将面对怎样的未来呢?
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存储器，NAND
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND
Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。 DRAMeXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出。NAND
Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出，使得NAND
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NAND 东芝
- 存储器一直被看成是半导体行业的晴雨表，它的表现也影响着整个市场的枯荣变换。2018年的存储器行业在兴奋和失望迷茫的情绪交替中前行，伴随着技术上的几许亮色，迈向了2019年。从热火朝天到凛冬将至 2017年的存储器市场可以用火热来形容，三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人。
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存储器 NAND
- 闪存是当今数据存储的重要介质之一，主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展，相比于NAND技术的快速演进，NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前，因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。不过，因为中国企业中天弘宇集成电路有限公司的潜心研究，NOR闪存的应用也许将重获新生。 “我们经过了近十年的研发积累，完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新，也可以说是一个完全的颠覆。我们沿用了整个NOR的架构，但和英特尔最早发明的NOR完全不是一回事
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NOR NAND 存储器
- 半导体设备供应商的排名在2016-2017年间没有发生太大的变化，但是这种格局正在发生变化。不仅Lam
Research、ASML和东京电子的位次发生调转，排名第一的应用材料公司的宝座位置也岌岌可危。 自1990年以来，应用材料公司一直是半导体设备领域的市场领导者。在此之前的1989年，坐在铁王座位置上的还是日本的东京电子，该公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名则是第二。除了位次的变化，也许更重要的是，领头羊和第二名的差距正在迅速收窄。 2016年，应用材料公司的市场份额比Lam
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ASML NAND
- 2018年12月11日，以“智数据·创未来”为主题的2018中国存储与数据峰会在北京拉开帷幕。作为中国数据与存储行业顶级的交流平台，本次峰会汇集了全球近百位来自产业界、学术界的专家，就数据洪流时代下，企业如何实施数据战略、深挖数据价值，变数据资源为实现更广泛商业价值的数据资产等话题展开深入探讨。
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数据 存储 傲腾 QLC 3D NAND
- 全球DRAM市场上，三星一家独大，接着是SK
Hynix及美光，这三家的DRAM份额占到了全球95%左右，而华亚科被美光全资收购之后，Nanya南亚科技也就变成全球第四大内存芯片厂商了，虽然2.5%的份额跟前面三家公司20%—45%的份额相比是小巫见大巫。 1 DRAM连涨之后持续下跌 在DRAM内存涨价超过9个季度之后，内存芯片价格终于在10月份大跌了一次，DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%，预计2019年还会继续跌20%。 受此影响，全球第四大内存芯片厂商南亚科
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DRAM NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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