- 配备 Snapdragon 8 Gen 3 和 Dimensity 9300 芯片组的智能手机现在可以运行设备上的 LLM（大型语言模型），使其具有与更大的机器相同的功能。 不幸的是，在手机上运行人工智能相关程序是一项资源密集型任务，不仅需要计算能力，还需要充足的内存和存储空间，早些时候的一份报告指出，未来智能手机上的 20GB RAM 可能会成为支持此功能的标准 功能。 至于存储，三星有一个解决方案，据传是针对 AI 优化的新版本 UFS 4.0 标准。高级研究员还表示，运行 AI 操作将需要智能手机大
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UFS 三星 端口
- 为了继续推动通用闪存(1)（UFS）技术的发展，全球存储器解决方案的领导者铠侠株式会社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已开始送样(2)。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于各种下一代移动应用。铠侠 UFS 产品性能的改进使这些应用程序能够利用 5G 的连接优势，从而加快下载速度、减少延迟时间并改善用户体验。铠侠UFS 4.0产品将BiCS FLASH™ 3D 闪存和控制器集成在 JEDEC 标准封装中，并结合了 MIPI M-PHY 5.0 和&n
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铠侠 UFS 4.0 嵌入式闪存
- 2022年12月8日，中国上海 — 全球存储器解决方案领导者KIOXIA铠侠中国近日宣布，今年其最新发布的业界首款*1支持MIPI M-PHY*2 v5.0的通用闪存*3Universal Flash Storage (以下简称：UFS) 嵌入式闪存器件，目前已率先批量交货，助力本土手机产商实现存储速度飞跃。新一代UFS凭借高速读写性能，将应用于智能手机等其他消费类电子产品中，显著提升产品的功能性和用户的使用体验。 &nb
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KIOXIA 铠侠 UFS 嵌入式闪存器件
- 全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统（ADAS）实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合，理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术，为用户提供出色的娱乐和用
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美光 智能座舱 DRAM UFS ADAS 域控制器 车载信息娱乐系统
- 西部数据近日新推出了一款嵌入式通用闪存存储（UFS, Universal Flash Storage）设备——西部数据 iNAND MC EU521，借此可以大大提升5G智能手机的用户体验。作为最早支持实现UFS3.1 规范中Write Booster特性的供应商，西部数据在业界第一批提供了针对5G应用优化的UFS3.1闪存方案。 <西部数据 iNAND MC EU521嵌入式闪存设备>西部数据 iNAND MC EU521嵌入式闪存设备帮助移动开发人员充分利用UFS 3.
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UFS 解决方案
- 9月10日消息，据WinFuture报道，三星UFS存储卡现身IFA2019展会，它被装在了海信T91手机上。
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三星 存储卡 UFS
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND
Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供应商
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NAND UFS SSD
- 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND eMMC UFS
- 在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND UFS
- 在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不
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UFS emmc 数字接口
- 相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。 具体来说，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的，LPDDR5将引入WCK差分时钟，类似于GDDR5，从而在不增加引脚的情况下提升频率。 此外，LPDDR5还将引入
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LPDDR5 UFS 3.0
- 2月26日，美光发布了专为安卓旗舰机打造的UFS 2.1标准闪存，容量设计为64GB、128GB和256GB。
颗粒选用TLC，3D 64层堆叠，美光强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。
由于是第二代3D闪存，美光称性能提升了50%。
单Die面积59.341mm2，32GB，号称业内最小。因此，在同样芯片面积下的总容量翻番。
新闪存将于今春发货，2018年下半年开始出现在智能机中。
由于此前，UFS2.1能稳定供货的只有三星和东芝，导致价格较高，美
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三星 UFS
- 三星电子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快闪储存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解决方案已开始量产， 是业界首款将固态技术协会(JEDEC)的UFS 3.0标准导入汽车应用的储存设备。
三星电子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技术有所突破之后，于近日发布量产256GB eUFS 2.1车用内存。 该储存设备将为下一代驾驶辅助系统(ADAS)、车用娱乐系统与仪表板应用带来更好的
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三星 UFS
- TrendForce研究指出，明年上半年步入淡季，NANDFlash价格有机会走跌，下半年需求回升，可能再次供不应求，预估2018年NANDFlashASP(平均销售单价)将较2017年缩减10%-20%。
相对而言，TrendForce预计，2018年DRAM产能扩增效益有限，价格趋势与供给状况持续看涨、看紧。
TrendForce表示，就移动存储来看，智能手机应用的存储零组件价格从2016年第三季开始不断攀升，以主流规格而言，到今年第四季价格平均上升40%，不仅影响各大品牌在智能手机的
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UFS NANDFlash
- NAND Flash解决方案供应商群联9、10月连续两月份的固态硬盘(SSD)出货量都破历史新高，上月更达到100万组的水准，另一个好消息是，群联在下一代的嵌入式快闪存储器新款的UFS芯片PS8313上，已经通过手机芯片大厂高通(Qualcomm)和海思等智能手机芯片平台的测试，新产品布局有成。
群联今年全力冲刺SSD和嵌入式存储器解决方案eMMC产品线，继9月SSD出货量突破90万片后，10月再创新高达100万片水准。
以第3季表现来看，群联第3季获利创下单季历史新高，主要是受惠多项主流
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UFS 海思
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