- IT之家 12 月 5 日消息，根据市场调查机构集邦咨询公布的最新报告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 产业规模合计营收 134.8 亿美元，环比增长 18.0%。集邦咨询表示由于下半年需求缓步回温，买方重启备货动能，让各原厂营收皆有所增长。展望今年第 4 季度，供给方面，原厂涨价态度明确，预估第四季 DRAM 合约价上涨约 13~18%；需求方面的回温程度则不如过往旺季，整体而言，DRAM 行业出货增长幅度有限。三家主流厂商情况细分到各家品牌，三大原厂营收皆有所成长
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DRAM 闪存
- 11 月 30 日消息，据外媒报道，从去年下半年开始，受消费电子产品需求下滑影响，全球存储芯片的需求也明显下滑，三星电子、SK 海力士等主要厂商都受到了影响。但在削减产量、人工智能领域相关需求增加的推动下，DRAM 这一类存储产品的价格已在回升，销售额环比也在增加。研究机构最新的数据就显示，在今年三季度，全球 DRAM 的销售额达到了 132.4 亿美元，环比增长 19.2%，在一季度的 93.7 亿美元之后，已连续两个季度环比增长。全球 DRAM 的销售额在三季度明显增长，也就意味着主要厂商的销售额，环
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DRAM 闪存 三星 海力士
- IT之家 11 月 24 日消息，由于厂商减产的效果逐渐显现，以及特定应用市场的持续强劲需求，DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨，并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估，2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%，上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。移动 DRAM：根据国外科技媒体 WccFtech 报道，2024 年手机的一个明显变化是
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闪存 DRAM NAND
- 在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断提高，这一挑战不容忽视。在常嵌入闪存存储器的微控制器 (MCU) 中，存储器的容量也在快速增加。除了宏观趋势外，MCU 中的一些特定发展趋势（包括更高的计算带宽、功能集成以及包含额外的大型通信栈）也决定了需要更大容量的闪存。当出现无线更新的需求时，由于原始图像和备份图像都需要存储，上述的这
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OptiFlash 存储器 闪存 软件定义系统
- 11月22日消息，据TrendForce最新报告，2022年全球SSD出货量为1.14亿块，同比下降10.7%。报告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影响，SSD出货量不高；但在2022年下半年供应情况已经极大缓解，渠道SSD市场恢复正常供需状态。随着个人电脑和计算机硬件市场的萎缩，固态硬盘的需求依然疲软，而更多的用户也是买涨不买跌（便宜了还能更便宜，便宜反而买单的人锐减）。TrendForce称，由于NAND闪存供应商积极减产，导致整个行业价格上涨，市场情绪在2022年第三季度末"迅速
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SSD 固态硬盘 闪存 NAND
- 近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层）
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三星 第九代 V-NAND 闪存
- IT之家 10 月 10 日消息，闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星等 DRAM 巨头正积极备战 1γ DRAM 技术。图源：SK 海力士DRAM目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。而三星计划 2023 年迈入 1b D
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DRAM 闪存
- 据媒体报道，三星作为全球最大的NAND闪存供应商，为了提高新一代NAND闪存的竞争力，将在2024年升级其NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。 三星平泽P1工厂未来大部分产线将从第6代V-NAND改为生产更先进的第8代V-NAND，同时正在将日本东京电子（TEL）的最新设备引入其位于平泽P3的NAND生产线，此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。三星的半导体产品库存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年结束时，三星旗下设备解决方案部门的库存已增至
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三星 NAND 闪存
- 这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。不过，这种好日子似乎要结束了。根据集邦咨询最新研究报告，预计在2024年，内存、闪存原厂仍然会延续减产策略，尤其是亏损严重的闪存，但与此同时，至少在2024年上半年，消费电子市场需求仍不明朗，服务器需求相对疲弱。由于内存、闪存市场在2023年已经处于低谷，价格也来到相对低点，因此 预计在2024年，内存、闪存芯片的市场需求将分别大涨13.0％、16.0％，相比今年高出大约6.5个、5.0
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内存 闪存
- 近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
- IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。▲ 图源三星IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈。
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三星 闪存
- 6月1日，铠侠宣布开始运营两个新的研发设施——位于横滨技术园区的旗舰大楼和Shin Koyasu技术前沿——以加强公司在闪存和固态硬盘（SSD）方面的研发能力。未来，神奈川县的其他研发职能将转移到这些新的研发中心，以提高研究效率。随着新旗舰大楼的加入，横滨科技园区的规模将几乎翻一番，使铠侠能够扩大其评估闪存和SSD产品的能力，从而提高整体产品开发和产品质量。Shin Koyasu技术前沿将成为半导体领域尖端基础研究的中心，包括新材料、工艺和器件，此处配备一间最先进的洁净室。除了下一代存储技术，铠侠还从事其
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铠侠 闪存 SSD
- 据中国台湾《经济日报》报道，全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技（SIMO）公布2023年第1季财报，营收1亿2407万美元，季减38%，年减49%，第1季毛利率42.3%，税后净利1116万美元。报道引述慧荣科技总经理苟嘉章表示，包括NAND大厂在内的主要客户，目前一致认为市况仍极具挑战。PC和智能手机终端市场持续呈现疲弱，上下游供应链皆将重心放在去化库存，包括消费级SSD和eMMC/UFS等嵌入式存储设备供应商，因此影响相关控制芯片的营收。苟嘉章认为，见到一些客户的下单模式从第2季开始有所改善，再加
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NAND 闪存 主控芯片
- 【2023 年 4 月 25日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出业界首款 LPDDR 闪存，助力打造下一代汽车电子电气（E/E）架构。英飞凌 SEMPER™ X1 LPDDR 闪存为汽车域和区域控制器提供至关重要的安全、可靠和实时的代码执行。该器件的性能是当前NOR 闪存的8 倍，实时应用程序的随机读取事务速度提高了 20 倍。这使得软件定义的车辆具有增强安全性和架构灵活性的高级功能。 下一代汽车更智能、更网联、更复杂，并
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英飞凌 LPDDR 闪存 汽车电子
- IT之家 4 月 23 日消息，随着各大车企都转向软件定义的汽车架构，下一代车型的设计却在内存方面面临着问题。由于许多原因，传统的 xSPI NOR 闪存已逐渐无法满足用户的需求。为了满足汽车区域架构的新需求，英飞凌科技宣布推出业界首款 LPDDR 闪存。该公司将闪存与 LPDDR 接口结合在一起，从而实现了比 xSPI NOR 闪存更高的性能和可扩展性。据介绍，这款名为 SEMPER X1 的新型闪存设备借鉴了已有 10 年历史的 LPDRR4 DRAM 的 LPDDR 接口方案，并将其应用于
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英飞凌 LPDDR 闪存
闪存介绍
【闪存的概念】
闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [
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