说到光刻机大家难免会想到三个厂商，荷兰的ASML公司、尼康和佳能。而光刻机就是制造芯片的核心装备。现如今光刻机领域的核心地位就是荷兰的ASML，他与台积电合作，共同突破了沉浸式DUV光刻机，也正因为此动作，才奠定了ASML在光刻机领域的核心地位。后续ASML又推出了更加高端的EUV光刻机，而且还是独家垄断生产。这就进一步使得ASML成为行业的巨头。随着科技的不断发展，市场就要越来越追求高性能以及高要求，ASLM造成的长时间垄断，导致其他同行没有办法发展。在他自身无法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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光刻机 ASML DUV EUV
最新消息显示，尽管全球经济将放缓，但三星仍计划扩大DRAM与晶圆代工的晶圆产能，明年在其P3晶圆厂新设至少10台极紫外光刻设备（EUV），用于生产最新的12nm级内存芯片，而三星目前仅有40台EUV光刻机。
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三星 EUV 光刻机
据报道，三星首次引入韩国本土公司东进世美肯（Dongjin Semichem）研发的EUV光刻胶（EUV PR）进入其量产线，这也是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试。在2019年经历与日本的光刻胶等关键原料的供应风波之后，三星就在尝试将关键原料的供应本土化，经过三年的努力，韩国实现了光刻胶本地化生产。在日本限制出口、三星尝试重构EUV光刻胶的供应链之后，东进世美肯就已开始研发EUV光刻胶，并在去年通过了三星的可靠性测试，随后不到一年就被应用于三星的大规模生产线。不过，EUV光刻胶可用于3-50道程序，目前
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三星 韩国 EUV 光刻胶
都知道光刻机单台成本非常的贵，但是你知道有多贵吗？一台数亿美元的光刻机让我们看到了一款硬件设备的价格极限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒体采访时透露，他们正在全力研制划时代的新光刻机high-NA EUV设备，而高NA EUV光刻机系统的单台造价将在300亿到350亿欧元之间，约合人民币2195到2561亿元。这个价格什么概念，一搜顶级航母的价格差不多在100亿美元左右，而这台硬件设备可以买三艘顶级航母，而ASML目前在售的双工件台EUV光刻机不过数亿美元，作为下一代产品身价
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光刻机 ASML EUV
近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme
ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干光经照明系统分割成的多个子光束具有固定的相位关系，当
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EUV 光刻 华为
本周美光宣布，采用全球先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。毕竟，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目前通过不断缩小电路
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美光 EUV 光刻技术
本周美光宣布，采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。 1β工艺可将能效提高约15％，存储密度提升35％以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。 一个值得关注的点是，美光称，1β绕过了EUV（极紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。毕竟，DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力，各公司目
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美光 DRAM 内存芯片 光刻机 EUV
近期，全球半导体龙头设备企业阿斯麦（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度财报，阿斯麦方面，最新一季度销售额和利润均超出市场预期，其新的净预订额也创下了纪录。此外阿斯麦CEO Peter Wennink表示，ASML有望继续向中国出货非EUV光刻机；泛林方面，当季公司营收创下历史新高，官方表示，2023年晶圆厂设备支出将下滑。ASML：有望继续向中国出货非EUV光刻机10月19日，光刻机大厂阿斯麦公布了2022年第三季度财报。数据显示，ASML第三季度净营收同比增长10%至58亿欧元，超出此前业界预
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ASML EUV 光刻机 泛林
微影设备业者ASML第一季已完成136台极紫外光（EUV）曝光机出货，累计超过7,000万片晶圆完成EUV曝光。随着EUV微影技术推进，预期2025年之后新一代EUV曝光机每小时曝光产量可达220片以上，以因应客户端先进制程推进至埃米（Angstrom）世代对先进微影技术的强劲需求。虽然2023年半导体市况能见度低且不确定性高，但包括台积电、英特尔、三星、SK海力士、美光等全球前五大半导体厂仍积极投资EUV产能，加上制程推进会带动光罩层数增加，法人乐观看好家登、帆宣、公准、意德士（等EUV概念股明年营运将
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微影技术 ASML EUV
在美国拼命打压中国之际，荷兰光刻机巨头ASML却相反，根据该公司透露的消息，ASML今年将在中国招聘200多名员工，以跟上中国的增长步伐，这意味着ASML 在华员工人数已超过 1500 人，占ASML公司全球员工的14%。那么，ASML到底想干什么呢？首先，ASML公司是想赚钱，虽然台积电、三星等买去了荷兰ASML公司的大部分EUV光刻机，但ASML公司可以在中国销售DUV等光刻机。而且，2021年ASML的第一大客户就是中国大陆芯片企业，中国大陆芯片企业为ASML贡献了超过290亿美元，而中国台湾和韩国
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ASML EUV
泛林集团 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化学集团旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一项战略合作，将为全球半导体制造商提供可靠的前体化学品，用于下一代半导体生产所需的、泛林突破性的极紫外 (EUV)干膜光刻胶创新技术。三方将合作对未来几代逻辑和 DRAM 器件生产所使用的 EUV 干膜光刻胶技术进行研发，这将有助于从机器学习和人工智能到移动设备所有这些技术的实现。
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泛林集团 EUV 干膜光刻胶
毫无疑问，如今国内芯片厂商面前最大的障碍就是EUV光刻机，不过EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径，但并非唯一解。 对于国内厂商来说，当前在3D NAND闪存的发展上，就因为不需要EUV机器，从而找到了技术追赶的机会。而在DRAM内存芯片领域，尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技术的3D 4F2 DRAM架构问世。他指出，基于HITOC技术所开发的全新架构3D 4F2
DRA
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芯片 EUV 光刻机
5 月 29 日消息，半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术，而新的高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）技术将会比这更快。目前，最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺，下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术，而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说，它们大都具有 0.33 NA（数值孔径）的光学器件，可提供 13 nm 分辨率。目前来看，这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm)
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EUV 光刻机 ASML
Intel的12代酷睿处理器去年就已经发布，首次上了性能+能效的异构设计，今年的13代酷睿代号Raptor Lake，下半年发布，属于12代的改进版，明年的14代酷睿Meteor Lake则会大改，升级Intel 4工艺，也是Intel首个EUV工艺。 14代酷睿的架构也会大改，第一次采用非单一芯片设计，弹性集成多个小芯片模块，包括下一代混合架构CPU、tGPU核显引擎、AI加速单元，而且功耗非常低。 14代酷睿Meteor Lake也会是Intel酷睿系列中首个大量使用3D Foveros混合封
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英特尔 EUV 4nm
半导体设备大厂应用材料推出多项创新技术，协助客户运用极紫外光（EUV）持续进行2D微缩，并展示业界最完整的次世代3D环绕闸极（Gate-All-Around，GAA）晶体管制造技术组合。芯片制造商正试图透过两个可相互搭配的途径来增加未来几年的晶体管密度。一种是依循传统摩尔定律的2D微缩技术，使用EUV微影系统与材料工程以缩小线宽。另一种是使用设计技术优化（DTCO）与3D技术，巧妙地藉由优化逻辑单元布局来增加密度，而不需要改变微影间距。第二种方法需要使用晶背电源分配网络与环绕闸极晶体管，随着传统2D微缩技
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应用材料 EUV 2D微缩 3D环绕闸极 晶体管
euv介绍
在半导体行业，EUV一般指EUV光刻，即极紫外光刻。
极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的光刻技术。
EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高 [
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