- 英特尔在14奈米及10奈米制程推进出现延迟，已影响到处理器推出时程，也让业界及市场质疑：摩尔定律是否已达极限?不过，英特尔仍积极寻求在7奈米时代重回摩尔定律的方法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光(EUV)，以及开始采用包括砷化铟镓(InGaAs)及磷化铟(InP)等三五族半导体材料。
摩尔定律能否持续走下去，主要关键在于微影技术难度愈来愈高。目前包括英特尔、台积电、三星等大厂，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸润式微影(immersionlitho
- 关键字：
摩尔定律 EUV
- 又到了超紫外光(EUV)微影技术的关键时刻了。纵观整个半导体发展蓝图，研究人员在日前举办的IMEC技术论坛(ITF)上针对EUV微影提出了各种大大小小即将出现的挑战。
到了下一代的10nm节点，降低每电晶体成本将会变得十分棘手。更具挑战性的是在7nm节点时导入EUV微影。更进一步来看，当扩展到超越5nm节点时可能就需要一种全新的晶片技术了。
目前最迫在眉睫的是中期挑战。如果长久以来一直延迟的EUV微影系统未能在2017年早期就绪的话，7nm制程将会成为一个昂贵的半节点。
不过，研究人
- 关键字：
EUV SanDisk
- 按照现在量产产品工艺进展的速度，几乎可以预见的是，2018年上7纳米的愿望很美好，但是实际情况却困难重重，几乎是不太可能的事，即便在技术上能实现，在商业上来看也不能算是理性的选择。
- 关键字：
台积电 7纳米 EUV
- ASML公司第3代极紫外光(EUV)设备已出货6台。这预示着预示了全球两家顶级大厂未来采用EUV光刻技术，在10nm的量产关键技术选项中几乎同步，或者说台积电在10nm时顺利赶上业界龙头英特尔。
- 关键字：
半导体 EUV
- 核心提示：荷兰半导体设备大厂 ASML 现在勉为其难地承认了其客户私底下悄悄流传了好一阵子的情况：大多数半导体厂商仍将采用传统浸润式微影技术来生产10奈米制程晶片，而非延迟许久的超紫外光微影(EUV)技术;不过这恐怕将使得10奈米节点因为无法压低每电晶体成本，而成为不受欢迎的制程。
荷兰半导体设备大厂 ASML 现在勉为其难地承认了其客户私底下悄悄流传了好一阵子的情况：大多数半导体厂商仍将采用传统浸润式微影技术来生产10奈米制程晶片，而非延迟许久的超紫外光微影(EUV)技术;不过这恐怕将使得
- 关键字：
EUV 7纳米
- KLA-Tencor 公司(纳斯达克股票代码：KLAC)宣布推出 Teron™ SL650，该产品是专为集成电路晶圆厂提供的一种新型光罩质量控制解决方案，支持 20nm 及更小设计节点。Teron SL650 采用 193nm光源及多种 STARlight™ 光学技术，提供必要的灵敏度和灵活性，以评估新光罩的质量，监控光罩退化，并检测影响成品率的光罩缺陷，例如在有图案区和无图案区的晶体增长或污染。此外，Teron SL650 拥有业界领先的产能，可支持更快的生产周期，以满足检验
- 关键字：
KLA-Tencor SL650 EUV
- 当半导体工艺发展到10nm水平时，传统的光刻工艺将面临前所未有的挑战，所有经典物理的规律在量子水平下都有可能失效，必须在硅材料之外寻找一种新的、实用的思路来进一步延续集成电路的发展。
- 关键字：
EUV 10nm
- 据美国科技博客Business Insider报道，在近50年的科技发展中，技术变革的速度一直遵循着摩尔定律。一次又一次的质疑声中，英特尔坚定不移地延续着摩尔定律的魔力。
摩尔定律是由英特尔联合创始人GordonMoore提出，内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。
在几十年来，芯片技术得以快速变革和发展，变得更加强大，节省了更
- 关键字：
EUV 摩尔定律
- 微影设备大厂ASML积极提升极紫外线(EUV)机台技术的生产效率，在2012年购并光源供应商Cymer后，大幅提升光源效率，从2009年至今光源效率分别为2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已达55瓦，每小时晶圆产出片数为43片，预计2013年底前，可达到80瓦的目标，2015年达250瓦、每小时产出125片。
半导体生产进入10纳米后，虽然可采用多重浸润式曝光方式，但在一片晶圆上要进行多次的微影制程曝光，将导致生产流程拉长，成本会大幅垫高，半导体大厂为
- 关键字：
ASML EUV
- 极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x奈米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆厂，合力改良EUV光源功率与晶圆产出速度，预计2015年可发布首款量产型EUV机台。
ASML亚太区技术行销协理郑国伟提到，ASML虽也同步投入E-Beam基础研究，但目前对相关设备的开发计划仍抱持观望态度。
ASML亚太区技术行销协理郑国伟表示，ASML于2012年
- 关键字：
ASML EUV
- 5月7日消息，全球代工市场规模继2011年增长7%，达328亿美元之后，2012年再度增长16%，达到393亿美元，预计2013年还将有14%的增长。
台积电与英特尔以前是“河水不犯井水”，但是随着英特尔开始接受Altera的14nm FPGA订单，明显在与台积电抢单，两大半导体巨头开始出现较为明显的碰撞。目前，台积电已誓言将加速发展先进制程技术，希望在10nm附近全面赶上英特尔。
而另一家代工厂格罗方德近日也发出声音，要在两年内，在工艺制程方面赶上台积电。
- 关键字：
半导体代工 EUV
- Intel CTO Justin Rattner近日对外披露说，Intel 14nm工艺的研发正在按计划顺利进行，会在一到两年内投入量产。
2013年底，Intel将完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC两项新工艺的开发，并为其投产扩大对俄勒冈州Fab D1X、亚利桑那州Fab 42、爱尔兰Fab 24等晶圆厂的投资，因此量产要等到2014年了。
而从2015年开始，Intel又会陆续进入10nm、7nm、5nm等更新工艺节点。
Rattner指出，Intel
- 关键字：
Intel 晶圆 EUV
- 而关于台积电是否足够支应大举投资ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)则认为，台积电截至今年第2季为止手头有约50亿美元的现金，估计今年全年，从盈余中可望取得93亿美元左右的现金流，且台积电今年预估会再募集10亿美元左右的公司债，因此大体而言将足够支付包括今年82.5亿美元的资本支出，以及用于ASML的投资费用。
- 关键字：
台积电 EUV
- IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光装置NXE:3100进行曝光。该EUV曝光装置配备了日本牛尾电机的全资子公司德国XTREME technologies GmbH公司生产的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
- 关键字：
EUV 晶圆
- 美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示，电子束“光刻”精度可以小到9纳米的范围，刷新了以前一项精度为25纳米的结果，这一进展有可能为电子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技术展开竞争提供了动力。尽管EUV光刻技术目前在商业化方面领先一步，有可能在22纳米以下的工艺生产中取代目前使用的浸末式光刻技术，但EUV光刻还面临一些棘手的问题，如强光源和光掩膜保护膜等，而采用电子束“光刻”则不会存在这些问题。
- 关键字：
光刻 EUV
euv介绍
在半导体行业，EUV一般指EUV光刻，即极紫外光刻。
极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的光刻技术。
EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
必威娱乐平台
杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
