- 今天，KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*检测产品线。自从1978年公司推出第一台检测系统以来，KLA-Tencor一直是图案光罩检测的主要供应商，新的FlashScan产品线宣告公司进入专用空白光罩的检验市场。光罩坯件制造商需要针对空白光罩的检测系统，用于工艺开发和批量生产过程中的缺陷检测，此外，光罩制造商(“光罩厂”)为了进行光罩原料检测，设备监控和进程控制也需要购买该检测系统。 FlashScan系统可以检查针对光学或极紫外(EUV)光刻的空白光罩。
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KLA-Tencor EUV
- 张忠谋曾比喻说：“三星是一只700磅的大猩猩”，表示它十分强悍。然而在现阶段的代工业中三星尚是“新进者”，需要时间的积累。
01、引言
据IC Insight公布的今年Q2数据，三星半导体依158亿美元，同比增长46.5%，超过英特尔而居首。
全球半导体三足鼎立，英特尔、台积电、三星各霸一方，近期内此种态势恐怕难以有大的改变，但是一定会此消彼长，无论哪家在各自领域內都面临成长的烦恼。
然而在三家之中三星谋求改变的势头最猛，而台积电
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三星 EUV
- 全球最大芯片光刻设备市场供货商阿斯麦 (ASML) 公布最新2017第二季财报。ASML表示，由于不论逻辑芯片和DRAM客户都积极准备将EUV导入芯片量产阶段，EUV光刻机目前第二季已累积27台订单总计28亿欧元。
ASML 第二季营收净额 (net sales)21亿欧元，毛利率(gross margin)为45%。在第二季新增8台EUV系统订单，让EUV光刻系统的未出货订单累积到27台，总值高达28亿欧元。
ASML预估2017第三季营收净额(net sales)约为22亿欧元，毛
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ASML EUV
- 全球最大芯片光刻设备市场供货商阿斯麦(ASML)近日公布2017第二季财报。ASML第二季营收净额21亿欧元，毛利率为45%。在第二季新增8台EUV系统订单，让EUV光刻系统的未出货订单累积到27台，总值高达28亿欧元。
预估2017第三季营收净额约为22亿欧元，毛利率约为43%。因为市场需求和第二季的强劲财务表现，ASML预估2017全年营收成长可达25%。
ASML总裁暨执行长温彼得指出:“ASML今年的主要营收贡献来自内存芯片客户，尤其在DRAM市场需求的驱动下，这部分的
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EUV ASML
- 据日经中文网报道，7月11日，韩国三星电子在首尔举行的说明会上，向客户等各方介绍了半导体代工业务的技术战略。新一代7纳米半导体将采用最尖端的制造技术，从2018年开始量产。此次说明会上，三星展示了发展蓝图，记载了决定性能好坏的电路线宽的微细化进程。三星表示，采用“极紫外光刻(EUV光刻)”新技术的7纳米产品计划从2018年开始接单，5纳米产品和4纳米产品分别将从2019年和2020年开始接单。EUV能大幅提高电路形成工序的效率，7纳米以下的产品曾被认为难以实现商用化，而EUV是
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三星 EUV
- 台积电已宣布将在2018年第二代7奈米制程中开始导入EUV微影技术，以做为5奈米全面采用EUV的先期准备。 尽管目前EUV设备曝光速度仍不如期待且价格极为高昂，但与采用双重或多重曝光技术相比，EUV的投资对解决先进制程不断攀升的成本问题仍是相对有力的解决方案。
每一季的台积电法说会上，张忠谋董事长或是共同执行长对于极紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的发展进度必会对台下观众做一专门的报告，法人代表对于EUV的导入时程亦表示高度兴趣。 到底EUV的发展对于台积电未来发展甚至
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摩尔定律 EUV
- 摩尔定律在过去52年中一直是“更小，更快，更便宜”的代名词，但越来越多的人认为它只是诸多选择之一，芯片行业开始针对特定的市场需求进行调整。
这并没有使得摩尔定律失去意义。众多行业人士透露，从16/14nm冲击7nm的公司数量要多于直接冲击16/14nm finFET的公司。但是，这种迁移也需要考虑到：
· 当代工厂利用16/14nm finFET进行相同度量时，节点命名在20nm之后就变得无意义。因此，对于10nm或7nm并没有一致的定义。更有价值的数
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摩尔定律 EUV
- 在先进制程方面，玩得起的显然只剩寥寥可数的那几个大玩家，7nm是一个重要的节点。
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7nm EUV
- 看好中国半导体行业未来持续的蓬勃发展，工艺控制与成品率管理解决方案提供商KLA-Tencor (科天)透过半导体检测与量测技术，以最快的速度及最有效的方式 ，帮助客户解决在生产时面对的良率问题。KLA-Tencor立志于帮助中国客户一起提升良率，降低生产成本，提高生产效率，并与中国半导体行业一同成长。 KLA-Tencor中国区总裁张智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，现于全球17国拥有6000多位员工。2016财年，KLA-Tencor营收表现来到30亿美元。从硅片检
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KLA-Tencor EUV
- 摩尔定律(Moore’s Law)自1970年代左右问世以来，全球半导体产业均能朝此一定律规则前进发展，过去数十年来包括光微影技术(Photolithography)等一系列制程技术持续的突破，才得以让半导体产业能依照摩尔定律演进，进而带动全球科技产业研发持续前进。
但为延续产业良性发展，光是依赖于传统微影技术仍不够，因此芯片制造商也正在苦思试图进行一次重大且最具挑战的变革，即发展所谓的“极紫外光”(EUV)微影技术，该技术也成为台积电、英特尔(Intel)等
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ASML EUV
- ASML宣称它的Q2收到4台EUV订单，预期明年EUV发货达10台以上。
EUV光刻设备一再延迟，而最新消息可能在2020年时能进入量产，而非常可能应用在5nm节点。
业界预测未来在1znm的存储器生产中可能会有2层或者以上层会采用它，及在最先进制程节点(7 or 5nm)的逻辑器件生产中可能会有6-9层会使用它。
ASML计划2018年时它的EUV设备的产能再扩大一倍达到年产24台，每台售价约1亿美元，目前芯片制造商己经安装了8台，正在作各种测试。
半导体顾问公司的分析师Ro
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半导体 EUV
- 英特尔在14奈米及10奈米制程推进出现延迟，已影响到处理器推出时程，也让业界及市场质疑：摩尔定律是否已达极限?不过，英特尔仍积极寻求在7奈米时代重回摩尔定律的方法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光(EUV)，以及开始采用包括砷化铟镓(InGaAs)及磷化铟(InP)等三五族半导体材料。
摩尔定律能否持续走下去，主要关键在于微影技术难度愈来愈高。目前包括英特尔、台积电、三星等大厂，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸润式微影(immersionlitho
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摩尔定律 EUV
- 又到了超紫外光(EUV)微影技术的关键时刻了。纵观整个半导体发展蓝图，研究人员在日前举办的IMEC技术论坛(ITF)上针对EUV微影提出了各种大大小小即将出现的挑战。
到了下一代的10nm节点，降低每电晶体成本将会变得十分棘手。更具挑战性的是在7nm节点时导入EUV微影。更进一步来看，当扩展到超越5nm节点时可能就需要一种全新的晶片技术了。
目前最迫在眉睫的是中期挑战。如果长久以来一直延迟的EUV微影系统未能在2017年早期就绪的话，7nm制程将会成为一个昂贵的半节点。
不过，研究人
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EUV SanDisk
- 按照现在量产产品工艺进展的速度，几乎可以预见的是，2018年上7纳米的愿望很美好，但是实际情况却困难重重，几乎是不太可能的事，即便在技术上能实现，在商业上来看也不能算是理性的选择。
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台积电 7纳米 EUV
- ASML公司第3代极紫外光(EUV)设备已出货6台。这预示着预示了全球两家顶级大厂未来采用EUV光刻技术，在10nm的量产关键技术选项中几乎同步，或者说台积电在10nm时顺利赶上业界龙头英特尔。
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半导体 EUV
euv介绍
在半导体行业，EUV一般指EUV光刻，即极紫外光刻。
极紫外光刻（英语：Extreme ultra-violet，也称EUV或EUVL）是一种使用极紫外（EUV）波长的光刻技术。
EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高 [
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