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EEPW首页 >> 主题列表 >> 高功率

高功率 文章 进入高功率技术社区

运用返驰转换器的高功率应用设计

  • 多相返驰转换器不仅推升了最大可能功率的极限,而且具有容易设计的优点,同时,其所产生的传导干扰也相对更低。返驰转换器是产生受调节电气隔离电压的良好途径。此种电压转换技术的应用层面相当广泛,原因是其电路简单且技术也发展得相当成熟。图一显示返驰转换器的示意简图。 图一 : 不使用光耦合器(no-opto)的返驰转换器然而,返驰式技术在使用上存在许多限制,而其最大传输功率也有其极限,主要是因为在图一所示的Q1开关的导通期间,电流会经过变压器的一次侧。在此期间,能量会储存在变压器的磁芯T1。在Q1的关断期
  • 关键字: 返驰转换器  高功率  ADI  

imec展示56Gb波束成形发射机 实现高功率零中频的D频段传输

  • 于本周举行的国际电机电子工程师学会(IEEE)射频集成电路国际会议(RFIC Symposium)上,比利时微电子研究中心(imec)发表了一款基于CMOS技术的先进波束成形发射机,用来满足D频段的无线传输应用。该发射器具备优异的输出功率及能源效率,同时支持每通道56Gb/s的超高数据传输率。该组件也是比利时微电子研究中心(imec)研究人员目前正在开发的四路波束成形收发机芯片之核心构件。运用这项技术,他们希望可以协助部署新一代100GHz以上的高频短距无线传输服务。 imec先进CMOS波束成
  • 关键字: imec  波束成形  发射机  高功率  零中频  D频段传输  

低导通电阻SiC器件在大电流高功率应用中的优越性

  • 众所周知,SiC作为一种性能优异的第三代半导体材料,因其高击穿场强、宽禁带宽度、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特性可以辅助电子器件更好地在高温、高压、高频应用中使用,可有效突破传统Si基半导体材料的物理极限。目前使用最广泛的SiC开关器件是SiC MOSFET,与传统Si IGBT相比,SiC材料的优异性能配合MOSFET单极开关的特点可以在大功率应用中实现高频、高效、高能量密度、低成本的目标,从而推动电力电子系统的发展。图1: 碳化硅器件应用范围示意图1图2: 典型应用场景对应的功率等级2从技术上讲,
  • 关键字: 低导通电阻  SiC  大电流  高功率  

48V高功率电驱动系统的设计与开发

  • 根据欧盟对汽车CO2排放限值的要求,至2025年,这一排放指标须比2021年降低15.0%;至2030年,这一排放指标须比2021年降低37.5%。目前,研究人员需要进一步降低新款车型的CO2排放,为此应大力推广电气化动力总成系统。除了纯电动汽车和插电式混合动力汽车(PHEV)之外,全混合动力汽车(FHEV)也属于该类车型。FHEV虽然无须进行外部充电,但是仍能以纯电动状态行驶,特别是在市区范围内。研究人员如果对德国混合动力汽车市场可公开得到的数据进行分析,那么就能获得如下信息:轻度混合动力汽车(MHEV
  • 关键字: 48V  高功率  电驱动系统  

艾睿电子在英国设立高功率卓越中心,加速电气化和可持续性发展

  • 全球技术解决方案供应商艾睿电子公司及其旗下工程服务公司eInfochips日前宣布,将在英国斯温顿设立高功率卓越中心(Centre of Excellence)。该中心旨在协助客户开发高功率解决方案,深化在电气化和可持续发展应用领域的发展。高功率设计在实现能源效率方面发挥着关键作用,对于电动汽车、可再生能源、电池储能、电网基础设施和其他各种净零排放项目至关重要。然而,高功率电子设计极具复杂性,包括极高的电力专业知识要求、严格的功能安全性和可靠性要求、繁杂的印刷电路板布局以及昂贵的测试设备等,都给创新者带来
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ERS electronic公司推出高功率温度卡盘系统

  • 半导体制造业提供温度管理解决方案的领导者——ERS electronic,现推出全新高功率温度卡盘系统。该技术针对高端CPU、GPU和高并行性DRAM器件应用的晶圆测试,可在-60°C至+200°C温度范围内对Device Under Test (DUT)进行精确且强大的温度控制。 High Power Dissipation” is the newest thermal chuck system from ERS electronic, suited for wafer test of
  • 关键字: ERS electronic  高功率  温度卡盘系统  

Nexperia双通道500 mA RET可在空间受限的应用中实现高功率负载开关

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品,均采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装。新系列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关,也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是,DFN封装的RET采用双重空间节省方案,可加倍提高空间利用率。首先,通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中,可节省大量电路板空间。此外,无引脚DFN封装本身的空间效益较高。这种集成和封装有
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具有OVC III的高功率密度转换器:儒卓力提供RECOM的20 W AC/DC RAC20E-K/277产品

  • 儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)推出RECOM公司E-K 系列中具有高功率密度的 20 W AC/DC 转换器RAC20E-K/277,它的特点是具有OVC III 额定值,可在海拔2000 米运行 (OVC II则为5000 米),并且具有-40 °C至+90 °C的宽工作温度范围 (带有降额),因此该器件特别适用于严苛的环境条件,例如路边电动汽车充电桩、工业环境以及测试和测量应用中的电源。此外,其高功率密度也适合一般家居应用和标称电压为 277
  • 关键字: 高功率  转换器  儒卓力  RECOM  

e络盟现货开售Power Integrations系列高功率产品

  • 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟近日引入Power Integrations系列高功率栅极驱动器,进一步扩大其功率产品阵容,均可快速交付。Power Integrations高功率产品系列包括:●   SCALE™-2:即插即用●   ISO5125I:DC-DC电源●   SCALE-2:Driver Core驱动核●   SCALE-2+:Driver Core 驱动核●   SCAL
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Qorvo QPA3069 S波段功率放大器在贸泽开售,助力国防和航空航天行业

  • 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 近日将开始备货Qorvo的QPA3069功率放大器。100 W QPA3069专为国防和航空航天应用而设计,能为2.7 – 3.5 GHz射频 (RF) 设计提供高功率密度和附加功率效率。这款S波段的高功率放大器采用Qorvo的0.25 µm 碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC)  工艺制成,可简化系统集成度,提供优异的性能,且尺寸小巧,仅7.0 × 7.0 × 0.85 mm 。贸泽备货的Qo
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采用小巧,坚固封装的高功率步进栅极驱动器IC

  • TMC2590是Trinamic最新的2相步进电机栅极驱动器。 低功耗的EMI优化芯片具有保护和诊断功能,使得为极具竞争力的解决方案提供小型化设计成为可能。汉堡,2019年9月2日 - TRINAMIC Motion Control GmbH&Co. KG 宣布推出TMC2590,这是一款两相步进电机栅极驱动器,具有坚固的设计和高功率密度。适用于从5V ... 60V DC工作电压的各种步进电机。它是一款经济型解决方案,可广泛应用于纺织,工厂和实验室自动化,3D打印,液体处理,医疗,安全,泵和阀门以及PO
  • 关键字: 高功率  IC  

在紧凑的 PCB 面积内提供高功率 以及完整的数字控制和遥测功能

  • 对于任何人来说,数字电源系统管理 (DPSM) 在通信和计算机行业内的持续采用,在很大程度上继续由位于其系统架构核心的 20nm 以下 ASIC 和 / 或 FPGA 所
  • 关键字: PCB  高功率  数字控制  遥测功能  

驱动高功率以太网络的供电技术

  • 目前有许多已开发的实用PoE 应用,然而,新推出的应用所需要的功率高于现今 802.3af 标准所定义的功率限制,也就是为用电装置端提供约 13 W 的功率。现今需要新的 PoE+ 标准以满足增加功率的需求,但这项新标准仍未定义完成。在新标准出炉前,势必要能够针对所需功率高于现今可提供功率的 PD 负载进行供电。
  • 关键字: 以太网  电源供应  高功率  

采用LJ6585D的高功率因数荧光灯电子镇流器电路

  • 采用LJ6585D的高功率因数荧光灯电子镇流器电路由L6585D组成的高功率因数荧光灯电子镇流器电路如图3所示。
  • 关键字: LJ6585D  高功率  荧光灯  电子镇流器  

高功率半导体的未来 前方道路通往何处?

  •   电力电子系统技术之所以快速发展,功率模组乃是公认的主要推动力,尤其在节约能源、功率控制动态范围、减少杂讯、减轻重量和缩减体积方面,表现更是出色。功率半导体主要用来控制发电与耗电之间的能量流,其过程需要的是无比的精确与极低损耗。   为了因应工业应用,持续推动电力电子技术精益求精的力量有5个面向:能源效率、作业温度、微型化、可靠程度与成本精简,而这5个面向在某种程度下会相互影响。这些趋势在过去30年来不断地驱策着功率半导体的发展,未来也势必扮演重要的推手。        图1:过去
  • 关键字: 高功率  半导体  
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