1 V保护系列产品兼具出色的射频性能与设计灵活性。Nexperia近日推出五款高性能1 V 保护二极管，可为交流耦合射频(RF)传输线路提供优化保护，有效防护静电放电(ESD)、浪涌电流及短路。其中包括PESD1V0C1BSF和PESD1V0H1BSF等型号，适用于手机、便携式电子设备、通信系统以及计算机与其他外设等应用中的USB4®和ThunderboltTM接口保护。随着USB4和Thunderbolt接口的数据速率突破10 GHz，ESD保护器件需在确保提供出色射频性能的同时，有效防护敏感的IC免受
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Nexperia USB4 Thunderbolt ESD保护二极管
Nexperia近日推出全新系列USB Type-C与USB供电(USB PD)控制器IC，支持消费电子领域18-140W的USB充电器设计。随着此次新系列的推出，Nexperia成为能够完整提供18-140W高效电源适配器所需各种器件的半导体制造商，为设计人员带来一站式解决方案，有助于简化供应链并加快产品开发与上市进程。NEX52041和NEX52080均搭载嵌入式MCU，并且分别配备16 kB和32 kB的MTP-ROM，能够灵活支持定制化功能的设计与更新，并可通过固件升级确保充电器持续符合最新的US
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Nexperia USB Type-C USB PD控制器
Nexperia近日宣布扩展其双极性晶体管(BJT)产品组合，推出12款采用铜夹片封装(CFP15B)的MJD式样的双极性晶体管。这款名为MJPE系列的新产品旨在满足工业与汽车领域对更高功率效率、更具成本优势设计方案的持续需求。与传统DPAK封装的MJD晶体管相比，采用CFP15B封装的MJPE系列产品在保证性能不受影响的前提下，能显著节省电路板空间并带来成本优势。该新品系列包含6款车规级产品（如MJPE31C-Q）和6款工业级产品（如MJPE44H11），其VCEO额定值包括50 V、80 V和100
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Nexperia 铜夹片 CFP 双极性晶体管
Nexperia 推出了据称是业界首款专为 48 V 汽车数据通信网络设计的 ESD 保护二极管产品组合。这些符合 AEC-Q101 标准的器件旨在节省空间和成本，同时在更高的数据速率下保持信号完整性，这是现代 EV 和混合动力 EV 平台的关键要求。对于涉及汽车电子、动力总成系统或嵌入式通信的 eeNews Europe 读者来说，这一发展直接解决了 EV 设计中越来越多地使用的高压板网络和传统网络协议的 ESD 保护方面长期存在的差距。解决汽车网络中的 48 V 偏移问题随着电动和
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Nexperia EV 数据网络 48V ESD 保护二极管
Nexperia近日推出专为保护48V汽车数据通信网络设计的ESD二极管，旨在使其免受静电放电(ESD)事件的破坏性影响。这一全新的产品组合包含六款器件，全部通过AEC-Q101认证，性能可靠，可满足日益普遍的48V板网对更高最大反向工作电压(VRWM)的要求。该系列最终能节省PCB空间与系统成本，同时在更高数据速率下保持信号完整性。控制器局域网(CAN)及其灵活数据速率变体(CAN-FD)，以及本地互连网络(LIN)和FlexRay等数据通信协议虽已存在数十年，但它们在低速应用中展现出的可靠性能，使其仍
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Nexperia 48V电动汽车 ESD保护二极管
Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性
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Nexperia SiC MOSFET
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia
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Nexperia GaN FET
Nexperia今日新推出一系列符合AEC-Q100标准的超低静态电流通用低压差(LDO)稳压器。该新系列同时包含高精度带输出跟随的LDO，集成输出保护功能，且输入电压范围较宽，因此可直接连接汽车电池。这些LDO采用热优化设计，在冷启动条件下，也能够为信息娱乐系统、ADAS、远程信息处理及照明系统等汽车应用中的纹波敏感负载提供稳定电压源。带输出跟随功能的LDO具有出色的输出保护能力，可以在车身控制模块、区域控制单元及动力系统中表现出优异性能，可用于涉及车外负载（如传感器）的场景。 除了汽车应用
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Nexperia 低静态电流 汽车级LDO LDO
Nexperia今日宣布推出首款符合开放技术联盟要求、适用于10BASE-T1S汽车以太网应用的ESD保护二极管。这些二极管具有非常低的电容（0.4 pF），意味着可以用于保护车内网络中采用更高数据速率的100BASE-T1或1000BASE-T1应用，同时仍能保持出色的信号完整性。根据IEC 61000-4-2标准，这些二极管提供高达18 kV的单线路ESD保护解决方案，并且按照开放技术联盟的标准，在1000次放电后仍可达到最高15 kV的保护水平。 这些器件基本覆盖了各个范围的汽
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Nexperia ESD保护二极管
Nexperia今日宣布推出全新系列降压DC-DC转换器。这些器件具有出色的待机和工作效率，为工程师在消费电子、工业和汽车终端市场中设计各种固定和便携电池供电应用提供更高的灵活性。NEX30606是一款高效、高精度的降压转换器，可在1.8 V至5.0 V的输入电压范围内提供16种电阻可调的输出电压选择。它提供高达600 mA的输出电流和220 nA的超低工作静态电流(Iq)，在业内脱颖而出。这一特性使其非常适合助听器、医疗传感器、贴片和监护设备等可穿戴消费电子应用。同时，它也能满足智能电表、资产追踪、工业
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Nexperia 降压DC-DC转换器
Nexperia正在通过全新NEH71x0电源管理IC（PMIC）系列扩展能源采集产品组合。新发布的先进PMIC系列结合了卓越的性能、高性价比和多功能性，为低功耗应用的可持续设计建立了新的标准。与竞争产品不同的是，这些全新PMIC消除了对外部电感器的需求，从而大大减少了电路板空间和物料清单（BOM）成本。新产品采用紧凑的4 mm x 4 mm QFN28封装，适合于遥控器、密钥卡（key fob）、智能标签、资产跟踪器、传感器、环境监测器、可穿戴设备、键盘、胎压监测器以及大量的物联网（IoT）应用。&nb
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PMIC Nexperia 能源采集
Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。该系列还包括专为AI服务器热插拔功能设计的特定应用MOSFET (ASFET)。采用CCPAK封装的MOSFET提供顶部和底部散热选项，可实现高功率密度和可靠的解决方案。所有器件封装均已在JEDEC注册，并配备Nexperia交
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CCPAK1212封装 Nexperia 功率MOSFET
Nexperia近日发布了一系列采用微型车规级MicroPak XSON5无引脚封装的新型逻辑IC。这些微型逻辑IC专为空间受限的应用而设计，适用于汽车领域的各种复杂应用场景，如底盘安全系统、电池监控、信息娱乐系统以及高级驾驶辅助系统(ADAS)。MicroPak XSON5采用热增强型塑料外壳，相较于传统的有引脚微型逻辑封装，PCB面积缩小75%。此外，该封装还具有侧边可湿焊盘，支持对焊点进行自动光学检测(AOI)。此次产品发布巩固了Nexperia在逻辑器件行业中的领先地位，其创新型封装技术满足了汽车
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Nexperia 无引脚逻辑IC
Nexperia近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC，可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。这些驱动器包含车规级和工业级版本，性能上兼具高电流输出和出色的动态性能，可大幅提高应用效率和鲁棒性。其中，NGD4300-Q100达到车规级标准，非常适合电动助力转向和电源转换器应用；NGD4300则设计用于消费类设备、服务器和电信设备中的DC-DC转换器以及各种工业应用中的微型逆变器。这些IC中的高边驱动器可以在不超过120 V的直流总线电压下工作，其中集成了二极管的自举电源有助于缩小P
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Nexperia 半桥栅极驱动器
Nexperia近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC，可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。这些驱动器包含车规级和工业级版本，性能上兼具高电流输出和出色的动态性能，可大幅提高应用效率和鲁棒性。其中，NGD4300-Q100达到车规级标准，非常适合电动助力转向和电源转换器应用；NGD4300则设计用于消费类设备、服务器和电信设备中的DC-DC转换器以及各种工业应用中的微型逆变器。这些IC中的高边驱动器可以在不超过120 V的直流总线电压下工作，其中集成了二极管的自举电源有助于缩小P
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Nexperia 栅极驱动器
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