IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天发布了 LPDDR5X-8500 内存，采用先进 1β 工艺，正在向智能手机制造商和芯片组合作伙伴发送样品。据官方介绍，美光 2021 年实现 1α 工艺批量出货，现在最新的 1β 工艺巩固了美光市场领先地位。官方称，最新的工艺可提供约 15% 的能效提升和超过 35% 的密度提升，每个 die 容量为 16Gb。美光表示，随着 LPDDR5X 的出样，移动产品将率先从 1β DRAM 的提升中获益，提升新一代智能手机的性能的同时，消
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美光 LPDDR5X-8500 内存 1β DRAM
近日，SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注，对此，SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度业绩发表会上，针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境，作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外，针对美国对芯片设备出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
台积电10月27日宣布，成立开放创新平台（OIP）3D
Fabric联盟以推动3D半导体发展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯电子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、创意电子、IBIDEN、西门子、Silicon
Creations、矽品精密工业、Teradyne、Unimicron19个合作伙伴同意加入。据悉，3DFabric联盟成员能够及早取得台积电的3DFabric技术，使得他们能够与台积电同步开发及优化解决方案，也
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台积电 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
- 长期批量供应协议即刻生效- 为下一代 3D 传感应用开发 VCSEL 技术- 进一步加强 IQE 作为 3D 传感市场领导者的地位 IQE plc（AIM 股票代码：IQE，以下简称“IQE”或“集团”），全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材
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IQE VCSEL 3D 传感
西门子数字化工业软件近日推出Tessent Multi-die软件解决方案，旨在帮助客户加快和简化基于2.5D和3D架构的新一代集成电路（IC）关键可测试性设计（DFT）。随着市场对于更小巧、更节能和更高效能的IC需求日益提升，IC设计界也面临着严苛挑战。下一代组件正倾向于采用复杂的2.5D和3D架构，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式连接多个晶粒，使其能够作为单一组件运作。但是，这种做法为芯片测试带来巨大的挑战，因为大部分传统的测试方法都是基于常规的2D流程。为了解决这些挑战，西门子推出Tess
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西门子 2.5D 3D 可测试性设计
10月17日，2022年世界技能大赛特别赛韩国赛区闭幕式举行，中国6名选手获得3枚金牌、1枚铜牌和2个优胜奖，实现多个项目上金牌和奖牌零的突破。 本次特别赛韩国赛区比赛于10月12日开幕，共举行8个项目的比赛，吸引了来自34个国家和地区的130余名选手参赛。中国选手参加其中6个项目的角逐。 其中，来自广州市工贸技师学院的选手杨书明获得移动应用开发项目金牌，成为本次大赛该新增项目首个金牌获得者。 来自深圳技师学院的选手罗凯、陈新源分别获得3D数字游戏艺术项目、云计算项目金牌，实现我国在这两个项目上
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世界技能大赛 3D 云计算
10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X内存已通过验证，可在骁龙（Snapdragon®）移动平台上使用，该内存速度可达到当前业界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通过优化应用处理器和存储器之间的高速信号环境，三星超过了自身在今年3月创下的7.5Gbps的最高运行速度，夯实了在内存市场的地位。三星LPDDR5X DRAM 可达8.5Gbps的运行速度作为十多年来全球移动内存（DRAM）市场的推动者，三星一直在努力推进高端智能手机普及，使更多消费者能够在移动设备上体验更为强大的计算性能。凭借低功
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三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此，SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示：“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作，在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下
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SK海力士 DRAM NAND
据TrendForce集邦咨询最新服务器相关报告指出，CXL（Compute
Express
Link）原是希望能够整合各种xPU之间的性能，进而优化AI与HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU为源头去考虑，但由于可支援CXL功能的服务器CPU
Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa现阶段仅支援至CXL
1.1规格，而该规格可先实现的产品则是CXL存储器扩充（CXL Memory
Expander）。因此，TrendForce认为
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TrendForce 集邦咨询 存储器 CXL AI/ML DRAM
芯片已经无处不在：从手机和汽车到人工智能的云服务器，所有这些的每一次更新换代都在变得更快速、更智能、更强大。创建更先进的芯片通常涉及缩小晶体管和其他组件并将它们更紧密地封装在一起。然而，随着芯片特征变得更小，现有材料可能无法在所需厚度下实现相同性能，从而可能需要新的材料。 泛林集团发明了一种名为 SPARC 的全新沉积技术，用于制造具有改进电绝缘性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉积超薄层，并且在高深宽比的结构中保持性能，还不受工艺集成的影响，可以经受进一步处理。SPAR
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SPARC 先进逻辑 DRAM 沉积技术
疫情突显产业供应链中断和制造业缺工问题，加上少量多样需求成趋势，迫使制造业快速转型，走向更自动化、数字化的智能化方向。因此，各产业对自动光学检测(AOI)技术的需求更为殷切。疫情突显产业供应链中断和制造业缺工问题，加上少量多样需求成趋势，迫使制造业快速转型，走向更自动化、数字化的智能化方向。导入自动化及AI的过程中，传统人力逐渐被取代，也改变产线人员配置的传统生态，其中，可以确保产线及产品质量的自动检测仪器不仅发挥精准有效的优势，还能针对缺陷或瑕疵及时修复、舍弃，降低不必要的时间成本与人力成本，快速稳定且
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自动光学检测 AOI AI 3D 检测铁三角
西门子数字化工业软件近日与半导体晶圆制造大厂联华电子 (UMC) 合作，面向联华电子的晶圆堆叠 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圆堆叠 (chip-on-wafer) 技术，提供新的多芯片 3D IC (三维集成电路) 规划、装配验证和寄生参数提取 (PEX) 工作流程。联电将同时向全球客户提供此项新流程。通过在单个封装组件中提供硅片或小芯片 (chiplet) 彼此堆叠的技术，客户可以在相同甚至更小的芯片面积上实现多个组件功能。相比于在 PCB
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西门子 联华电子 3D IC 混合键合流程
市调机构表示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因需求明显下滑而推迟采购，导致供货商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供货商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，导致第四季DRAM价格续跌13％～18％。标准型DRAM方面，由于笔电需求疲弱，OEM厂仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位产出仍持续升高，供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
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集邦 DRAM NAND
根据集邦科技指出，2023年DRAM市场需求位成长仅8.3％，是历年来首度低于10％，远低于供给位成长约14.1％，分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求，但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看，高通膨持续冲击消费市场需求，故优先修正库存是品牌的首要目标，尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题，品牌超额下订，加上通路销售迟缓，使得目前笔电整机库存去化缓慢，造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统（ADAS）实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合，理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术，为用户提供出色的娱乐和用
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美光 智能座舱 DRAM UFS ADAS 域控制器 车载信息娱乐系统
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