IT之家 7 月 18 日消息,日经新闻表示,半导体存储芯片之一的 DRAM 正在加速降价,作为上代产品的 DDR3 型的 4GB 内存连续 2 个月下跌。指标产品的 6 月大单优惠价环比下跌 1 成,创出 1 年半以来新低。从作为指标的 8GB DDR4 内存来看,6 月报价约 2.7 美元每个,环比下跌 0.3 美元(10%),而容量较小的 4GB 内存约为 2.18 美元 / 个,环比下跌 10%,同比下跌 32%,处于 2020 年 12 月以来的最低水平。分析师认为,PC 和智能手机的
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DRAM 市场
在今年Gartner的半导体市场分析报告中指出,从历史角度来看,存储市场一直规律的处于2~3年的周期波动中。2021年DRAM市场存在一个供不应求的情况,使得价格上涨,但在2022年下半年会恢复并且进入供过于求的周期,这个周期会导致存储市场价格的整体下滑。下面我们来具体分析都存在哪些因素导致DRAM的周期波动。1.地缘问题导致消费市场向下修正 俄乌战争打破欧洲和平局面,导致能源价格大幅提升,整体社会的消费水平降低,企业和消费者会减少很多不必要的开支。早在4月底,美国商务部公布的数据显示,美国一季度G
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DRAM 半导体 市场
随着智能化、电动化浪潮的推进,汽车芯片的含量成倍提升,电动车半导体含量约为燃油车2倍,智能车为8-10倍。需求增量端2020年全球约需要439亿颗汽车芯片,2035年增长为1285亿颗。价值增量端,2020年汽车芯片价值量为339亿美元,2035年为893亿美元。可见芯片将成为汽车新利润增长点,有望成为引领半导体发展新驱动力。 汽车芯片从应用环节可以分为5类:主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等,以存储芯片为例,2022年全球汽车存储芯片市场规模约52亿美元,国内汽车存储芯片市场规模
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北京君正 兆易创新 DRAM NAND
关键优势:● 随着 CPU 内核数量不断增加,改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍,进而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2],比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高达 64GB 的模组容量,能够支持内存密集型工作负载[4]● DDR5 的创新架构改进和模组内建电源管理功能,有助于优化系统整体运行性能 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布
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美光 数据中心 DRAM DDR5
近日,韩国进出口银行海外经济研究所(OERI)推算,韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为:DRAM的差距约为 5年,NAND 的差距约为2年。该研究院分析,中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半,两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测,在NAND闪存领域,中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
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DRAM NAND
近日,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场,将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 :“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
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长江存储 3D NAND
全球范围看,2021-2023年存储芯片的市场规模将分别达到1552亿美元、1804亿美元及2196亿美元,增幅分别达到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市场规模约占56%,NAND Flash市场规模约占41%(IC Insights数据)。另外,根据CFM 闪存市场预计,2021年全球存储市场规模将达1620亿美元,增长29%,其中DRAM为945亿美元,NAND Flash为675亿美元。这两个调研机构的数据相近,相差100亿美元。目前,全球储存芯片市场主要被韩国、欧美以及
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存储芯片 DRAM NAND Flash
这两年,长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘,都呈现火力全开的姿态,从技术到产品都不断推陈出新。6月23日,长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列,可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景,而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压,可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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长江存储 3D NAND
国内半导体储存器行业市场前景及现状如何?半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支:半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业,根据功能的不同,集成电路又可以分为存储器、逻辑电路、模拟电路、微处理器等细分领域。2022半导体储存器市场调研半导体储存器行业前景及现状分析 国内开始布局存储产业规模化,中国大陆的存储器公司陆续成立,存储产业也取得明显的进展。在半导体国产化的大趋势下,国内存储器行业有望迎来新的发展和机遇。 半导体储存器行业产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网
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存储 DRAM 市场
根据TrendForce最新研究显示,尽管今年上半年的整体消费性需求快速转弱,但先前DRAM原厂议价强势,并未出现降价求售迹象,使得库存压力逐渐由买方堆栈至卖方端。在下半年旺季需求展望不明的状态下,部分DRAM供货商已开始有较明确的降价意图,尤其发生在需求相对稳健的服务器领域以求去化库存压力,此情况将使第三季DRAM价格由原先的季跌3至8%,扩大至近10%,若后续引发原厂竞相降价求售的状况,跌幅恐超越一成。PC OEM仍处于连续性下修出货展望,且综观各家DRAM库存水位平均超过两个月以上,除非有极大的价格
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TrendForce DRAM
近日,有消息称,国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初,会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商,终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片,而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片,而大规模应用也要到2023年去了。可见,国产存储芯片,在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
中国芯片传来捷报,长江存储取得重大技术突破,正式打破韩国三星垄断,目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产,预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离,长江存储直接越级跳过了96层,直接进入了128层3D NAND 闪存的研发,并成功在2020年正式宣布研发成功,它是
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长江存储 3D NAND
头一段时间,有媒体报道称,长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样,预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业,从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立,2017年便推出了32层NAND闪存。2019年,推出64层堆栈3D NAND闪存,并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距,长江存储跳过了96层,直接进行了128层3D NAND 闪存的研发,并在2020年正式宣布研发成功,它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
据TrendForce研究,尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑,第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响,进而使得整体DRAM库存上升,成为第三季DRAM价格下跌3~8%的主因,且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8%的跌幅。PC DRAM方面,在需求持续走弱情况下,引发PC OEMs下修整年出货目标,同时也造成DRAM库存快速飙升,第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存,采购力道尚难回温。同时,由于整体DRAM产业仍处于供过于求,因此即便
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TrendForce DRAM
比利时微电子研究中心(imec)于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会(VLSI Symposium),首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案,利用奈米硅穿孔(nTSV)结构,将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨(buried power rail)上。微缩化的鳍式场效晶体管(FinFET)透过这些埋入式电源轨(BPR)实现互连,性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔(nTSV)与埋入式电源轨(BPR)连接至晶圆背面,与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
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