据韩媒，韩国SK海力士公司周四表示，将成立一个名为AI Infra的新部门，负责人工智能（AI）半导体相关业务，由现任全球销售营销部门负责人Kim Juseon管理。报道称，新部门将整合分散在公司内部的高带宽内存（HBM）能力和功能，还将主导新一代HBM芯片等人工智能技术的发展，寻找并开发新市场。
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美光云计算高级业务发展经理 Eric Booth 90 岁的祖母患有严重的听力障碍，即使佩戴助听器也很难听清别人在说什么。Eric 注意到，她需要凑近讲话者，识别他们的唇语，努力理解他们的话语。而当多人进行交谈时，她常常会感到迷茫。Eric 萌生了一个想法：为何不用祖母的智能手机帮她来“倾听”呢？他打开手机的记事簿功能，按下麦克风按钮，向她展示了手机如何将他的话转录成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常兴奋，笑得合不拢嘴，她现在可以参与到从前无法进行的对话中。”这也让我们看到了该技术如何切实改善了言语、语
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11月8日，2024存储产业趋势研讨会 (Memory Trend Seminar 2024，以下简称“MTS”）在深圳盛大举行，众多行业专家、企业代表及媒体代表齐聚深圳，共同探讨未来存储技术的发展和趋势。
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NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
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当地时间11月9日，存储大厂美光科技宣布推出32Gb单片芯片128GB DDR5 RDIMM内存，速度高达8000MT/s，可支持当前和未来的数据中心工作负载。据美光介绍，该产品采用美光1β(1-beta)技术，与竞争性3DS硅通孔(TSV)产品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高达24%、延迟降低高达16%、AI训练性能提升高达28%。该产品旨在满足数据中心和云环境中各种关键任务应用程序的性能和数据处理需求，包括人工智能(AI)、存储数据库(IMDB)）以及多线程、多核计数一般计算工作负载的高效处
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IT之家 11 月 13 日消息，韩国日报称，三星电子打破了 SK 海力士为 NVIDIA 独家供应 HBM 3 的局面，该公司计划从明年 1 月开始向英伟达提供 HBM3。有分析师预测称，今年以来一直低迷的三星电子半导体业务业绩将在明年迅速复苏。一些猜测认为，三星电子可能会在明年下半年在 HBM 市场份额上超过 SK 海力士。此前，三星电子已成功向美国 AMD 供应 HBM3 内存，但由于 AMD 在该市场的主导地位并不大，因此据说供应有限。市场研究公司 Trend Force 预测，SK 海
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不负期待 与美光相约2023进博会2023年11月5日，第六届中国国际进口博览会正式开幕，吸引了来自世界各地的企业参展。其中，美光首次亮相进博会，为业界带来了一系列创新的内存和存储产品及解决方案，并展示了其为赋能数据经济发展，推动人工智能和5G应用进步所付出的不懈努力。深入存储四大应用领域美光的展位以“深耕存储领域，赋能数字中国”为主题，向观众展示了一系列高性能内存和存储产品。展台划分为数据中心、汽车与智能边缘领域、移动设备以及PC客户端四大应用领域，最新的产品和解决方案令人印象深刻。这些创新的
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IT之家 10 月 26 日消息，全球第二大内存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的热潮将推动芯片利润增长，该公司在第三季度的亏损比上一季度大幅缩小。该公司在周四表示，用于人工智能的高级芯片的强劲需求，缓解了由于智能手机和电脑等设备中使用的普通芯片需求持续低迷而造成的影响。SK 海力士表示，其销售用于科技设备的 DRAM 芯片的业务，在第三季度重新盈利，而今年前两个季度都是亏损的。该芯片制造商在一份声明中说：“DRAM 业务…… 预计随着生成型人工智能的繁荣而继续改善。仍然亏损的 NAN
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IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天发布新闻稿，进一步扩展了 1β（1-beta）工艺节点技术，推出 16Gb DDR5 内存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已经开始向数据中心和 PC 用户提供，峰值速度可以达到 7200 MT/s。这款新型 DDR5 内存采用先进的 high-k CMOS 器件技术，4 相时钟和时钟同步（clock-sync）1，相比较上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 产品线提供 4,800 MT/s 至 7
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据媒体引述内存模组制造商表示，主要半导体制造商正在增加DDR5内存的可用容量，该内存预计将在2024年成为主流。预计到2023年底，他们的DDR5内存bit销售额合计将占bit销售额总额的30-40%。DDR5是第5代双倍数据速率同步动态随机存取内存，又称DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在带宽，频率上优势都是非常明显的。今年来，DDR5的动态频繁传来：三星方面，该公司于今年5月量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功开发12nm级32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12
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台积电、英特尔等大厂近年来不断加大对异构集成制造及相关研发的投入。随着 AIGC、8K、AR/MR 等应用的不断发展，3D IC 堆叠和 chiplet 异构集成已成为满足未来高性能计算需求、延续摩尔定律的主要解决方案。不久前，华为公布了一项芯片堆叠技术的新专利，显示了该公司在芯片技术领域的创新实力。这项专利提供了一种简化芯片堆叠结构制备工艺的方法，有望解决芯片堆叠过程中的各种技术难题。堆叠技术可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空间，进一步推动芯片技术的进步。尽管目前该专利与将两个 14nm 芯片堆叠成
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三星电子宣布已开发出其首款
7.5Gbps（千兆字节每秒）低功耗压缩附加内存模组（LPCAMM）形态规格，这有望改变个人计算机和笔记本电脑的 DRAM（动态随机存取存储器）
市场，甚至改变数据中心的DRAM市场。三星的突破性研发成果已在英特尔平台上完成了系统验证。三星LPCAMM内存模组结构示意图截至目前，个人计算机和笔记本电脑都在使用传统的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的
So-DIMM（小型双重内嵌式内存模组）。然而受结构限制，LPDDR需要被直接安装在设备的主板上，导致其在维修
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IT之家 9 月 12 日消息，根据韩国 The Elec 报道，三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高容量存储器（HBM）的需求。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流 HBM 堆叠 8 层，而下一代 12 层也即将开始量产。报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工艺，而最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding
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这两年，DRAM内存芯片、NAND闪存芯片都需求疲软，导致价格持续处于地位，内存、SSD硬盘产品也越来越便宜。不过，这种好日子似乎要结束了。根据集邦咨询最新研究报告，预计在2024年，内存、闪存原厂仍然会延续减产策略，尤其是亏损严重的闪存，但与此同时，至少在2024年上半年，消费电子市场需求仍不明朗，服务器需求相对疲弱。由于内存、闪存市场在2023年已经处于低谷，价格也来到相对低点，因此 预计在2024年，内存、闪存芯片的市场需求将分别大涨13.0％、16.0％，相比今年高出大约6.5个、5.0
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由于各大企业对布局AI领域的兴趣激增，同时，SK海力士在用于生成式AI领域的高带宽存储器（HBM）DRAM方面处于市场领先地位，其二季度用于AI领域的高性能DRAM销售增长强劲，对高端DRAM的需求增长了一倍多。继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3，包括AMD、微软和亚马逊等等。
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内存介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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