IT之家 5 月 30 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，南亚科技在昨日的年度股东常会上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产，明年进一步提升产量。此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16
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南亚科技 内存 DRAM
据日媒报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。这座新厂房将于2026年初动工，并安装极紫外光刻（EUV）设备。消息称最快2027年底便可投入营运。报道称，此前，日本政府已批准多达1920亿日圆补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年，日本经济产业省曾表示，将利用这笔经费协助美光科技生产芯片，这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。
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美光 DRAM 日本 EUV
三星、SK海力士及美光等国际内存巨擘，皆积极投入高带宽内存（HBM）制程，法人表示，在产能排挤效应下，下半年DRAM产品恐供不应求，预期南亚科、威刚及十铨等业者受惠。据TrendForce研究，DRAM原厂提高先进制程投片，产能提升将集中今年下半年，预期1alpha nm（含）以上投片，至年底将占DRAM总投片比重约40％。由于HBM获利表现佳，加上需求续增，生产排序最优先。以HBM最新发展进度来看，2024年HBM3e将是市场主流，集中在2024年下半年出货。SK海力士依旧是主要供货商，与美光均采1be
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HBM DRAM TrendForce
近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
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IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会
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海力士 三星 DRAM
据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND
Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
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根据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，受惠于HBM销售单价较传统型DRAM（Conventional
DRAM）高出数倍，相较DDR5价差大约五倍，加上AI芯片相关产品迭代也促使HBM单机搭载容量扩大，推动2023~2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上。产能方面，2023~2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。2024年HBM
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HBM DRAM TrendForce
自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示，若理事会批准该计划，三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地，并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设，目标是在2025年11月完工，并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加，新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。（图源：SK海力士官网）SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称，M15X将成
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AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
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存储器 DRAM TrendForce
IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美国证券交易委员会 SEC 递交 8-K 重大事项公告，预计本月初的台湾地区地震对其二季度 DRAM 内存供应造成“中等个位数百分比”的影响。美光在台湾地区设有桃园和台中两座生产据点。根据 TrendForce 集邦咨询此前报告，地震导致当时桃园产线上超六成的晶圆报废。美光在公告中表示美光全体员工安然无恙，设施、基建和生产工具未遭受永久性损害，长期 DRAM 内存供应能力也没有遇到影响。直至公告发稿时，美光尚未在震后全面恢复 DRAM 生产，但得
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在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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3D DRAM
怎么证明企业对某个市场的未来充满信心？频繁来华喊口号还是推定制芯片？一边提升销售预期一边减少研发团队？或者是缩减产能加大宣传力度？商业行为还真是要靠真金白银才能体现诚意，对中国市场最有信心的表示当然是加大中国市场的投资力度。 3月27日，美光科技举办了新厂房动工奠基仪式，宣告2023年6月公布的美光西安工厂价值43亿元人民币的扩建工程正式破土动工，该项目是2020年以来国外半导体企业在国内最大的工厂投资建设工程。据悉，这个项目除了加建新厂房，还会引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，例如移动DRAM、N
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IT之家 3 月 14 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，三星电子否认了近日路透社的说法，表示并未考虑使用 MR-RUF 方式生产 HBM 内存。HBM 由多层 DRAM 堆叠而成，目前连接各层 DRAM 的键合工艺主要有两个流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通过回流焊一次性粘合，然后同时用模塑料填充间隙；而 TC-NCF 中文称热压非导电薄膜，是一种在各 DRAM 层间填充非导电薄膜（NCF）的热压键合方式。随着 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV)
技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器
(HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存储 DRAM MUF技术
三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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动态随机存取内存(dram)介绍
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