- 第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于近日开始供应样品。图片来源：信越化学从氮化镓生产上看，尽管GaN器件制造商可以使用现有的Si生产线来生产GaN，但由于缺乏适合GaN生长的大直径基板，因此无法从增加材料直径中获益。上述的300毫米QST基板具有与GaN相同的热膨胀系数，可实现大直径的高质量厚GaN外延生长，并抑制SEMI标准厚度的QS
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信越化学 氮化镓 外延生长
- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化学 6 月 12 日宣布开发出新型半导体后端制造设备，可直接在封装基板上构建符合 2.5D 先进封装集成需求的电路图案。▲ 蚀刻图案这意味着可在 HBM 内存集成工艺中完全省略昂贵的中介层（Interposer），在大大降低生产成本的同时也缩短了先进封装流程。▲ 2.5D 集成结构对比信越表示，该新型后端设备采用准分子激光器蚀刻布线，无需光刻工艺就能批量形成大面积的复杂电路图案，达到了传统制造路线无法企及的精细度。结合信越化学开发的光
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信越化学 HBM 先进封装
- 日本最大化学公司信越化学株式会社将在越南投建两个工厂，分别生产高亮度LED灯用的硅基材料和高纯稀土材料，总投资50亿日元，约合6400万美元。
根据信越化学公告，公司将投资20 亿日元，在越南海防市的庭武工业园区建立一个占地80000平方米的稀土分离和精炼厂。于2013年2月投入生产,预计年处理稀土矿1000吨，越南新工厂被认为可缓解该公司对中国稀土的依赖。
同时，信越电子材料越南有限公司将在越南北部兴安省的工业园区兴建占地50000平方米的工厂，生产高亮度LED灯用的硅基材料，总投资30
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信越化学 LED
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