如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。这种需求的增长一方面是为了降低运营成本
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SiC MOSFET AI数据中心 电源转换能效
碳化硅是一种众所周知的坚硬和复杂的材料。用于制造 SiC 功率半导体的晶圆生产利用制造工艺、规格和设备的密集工程来实现商业质量和成本效益。必要性与发明宽禁带半导体正在改变电力电子领域的游戏规则，使系统级效率超越硅器件的实际限制，并带来额外的技术特定优势。在碳化硅 （SiC） 的情况下，导热性、耐温能力和击穿电压与通道厚度的关系优于硅，从而简化了系统设计并确保了更高的可靠性。由于它们的简单性，SiC 的孕育使二极管领先于 MOSFET 进入市场。现在，随着技术进步收紧工艺控制、提高良率并
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SiC
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅
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cascode FET SiC
Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性
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Nexperia SiC MOSFET
商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。1. 正向特性图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低于Si IGBT的通态压降；在接近额定电流时，SiC MOSFET的通态压降几乎与Si IGBT相同。对于经常以低于额定电流工作的应用，使用SiC
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三菱电机 SiC MOSFET
简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。特性Si4H-SiCGaN禁带能量（eV）1.123.263.50电子迁移率(cm2/Vs)14009001250空穴迁移率(cm2/Vs)600100200
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碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而耐压在600V以上的SiC SBD产品已广泛产品化。SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。半导体器件的击穿电压与半导体漂移层的厚度成正比，因此为了提高耐压，必须增加器件的厚度。而
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三菱电机 SiC SBD
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”。该器件具备＋6.8 A／–4.8 A的输出电流，采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。今日开始支持批量供货。在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中，当下桥臂[2]关闭时，米勒电流[1]可能会产生栅极电压，进而导致上桥臂和下桥臂[3]出现短路等故障。常见的保护措施有，在栅极关闭时，对栅极施加负电压。对于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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东芝 SiC MOSFET 栅极驱动 光电耦合器
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。在第一篇文章(SiC JFET并联难题大揭秘，这些挑战让工程师 “头秃”！//www.cghlg.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并联的五大难题，破解方法终于来了！//www.cghlg.com/article/202503/467644.htm)中我们重点介绍了SiC JFET并联设计的挑战，本文将介绍演示和测试结果。演
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SiC JFET 并联设计
随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。我们将详细介绍安森美(onsemi)SiC cascode JFET，内容包括Cascode（共源共栅）关键参数和并联振荡的分析，以及设计指南。本文为第一篇，聚焦Cascode产品介绍、Cascode背景知识和并联设计。简介大电流操作通常需要直接并联功率半导体器件。出于成本或布局的考虑，并联分立器件通常是优选方案。另一种替代方案是使用功率模块，但这些模块实际上也是通过并联芯片实现的。本文总结了适用于所
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JFET Cascode 功率半导体
在这里，我们比较了碳化硅 （SiC） 与硅以及在汽车和可再生能源等行业的电力电子中的应用。我们将探讨硅和碳化硅之间的显著差异，并了解 SiC 为何以及如何塑造电力电子的未来。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改变电力电子的未来电力电子技术在过去几年中取得了前所未有的进步。硅 （Si） 等传统半导体材料一直主导着电力电子和可再生能源行业。然而，碳化硅 （SiC） 的出现彻底改变了这一领域，为卓越的性能和效率铺平了道路。无与伦比的效率、热性能和高压能力使碳化硅成为用于电子和半导体器件的下一代半导体材料。硅与
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碳化硅 SiC 电力电子
1 我国能源汽车已突破1000万辆，今年将增长24%据赛迪顾问 2024 年 12 月发布的数据预测显示，我国新能源汽车的新车全球市占率有望稳居七成以上，我国从汽车大国迈向汽车强国的步伐更加坚实。据中国汽车工业协会的统计数据显示，2024年我国汽车产销分别完成3128.2万辆和3143.6万辆，同比分别增长3.7％和4.5％，继续保持在3000万辆以上规模，产销总量连续16年稳居全球第一。其中，新能源汽车产销首次突破1000万辆，分别达到1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4％和35.5
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电驱 碳化硅 SiC 新能源汽车 800V
自央视频官方获悉，格力电器董事长董明珠在纪录片中，再次回应外界对格力造芯片质疑，并谈到了格力建设的芯片工厂，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力电器孤勇地冒险，是作为中国制造企业的责任与担当。格力做了亚洲第一座全自动化的碳化硅工厂，整个芯片的制造过程是自己完成的。而在芯片工厂制造的过程中，格力解决了一个最大的问题。“传统的芯片工厂用的环境设备都是进口的，比如恒温状态，而这正好是格力强项。所以我们自主制造了整套系统的环境设备，要比传统的降温模式更节能，而这可以降低企业的成本。”董明珠也
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格力电器 SiC 芯片工厂
电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。图1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较什么是碳化硅Cascode JFET技术？众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体管（B
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SiC Cascode JFET AC-DC
● 英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品● 这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术● 200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势英飞凌200mm SiC晶圆英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲
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英飞凌 碳化硅 SiC 200mm碳化硅
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