- 1932年，研究人员在George Herbert Jones实验室，将金属镓和氨在900℃至1000℃的高温下进行反应，成功合成了GaN材料。近一个世纪的时间里，氮化镓逐渐引领着功率变换领域的新一轮变革。特别是Power Integrations公司近日推出的业界首款1700V氮化镓开关IC——InnoMux™-2系列产品，不仅刷新了氮化镓技术的耐压纪录，更是以其卓越的性能和广泛的应用前景，成为了电源管理领域的遥遥领先者。 氮化镓逐渐成为王者 最佳开关电源技术覆盖从十瓦至一兆瓦的广泛
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PI 氮化镓 1700v 电源IC
- 标签：IGBT 电源0 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低
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保护 电路设计 驱动 IGBT 300A 1700V
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