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高频头 LNB FET FT 90G

资料介绍
采用Li-On的GaAs pHEMT工艺制备了LNA FET。FET形成通过欧姆、栅极、M2金属和空气桥将源极连接到焊盘。没有

钝化电介质或聚合物。FET呈现低态

电阻、低电容和低噪声系数。
标签：高频头，90G
高频头 LNB FET FT 90G
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