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国产首款1700V SiC MOSFET针对高压电源应用
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Ewyas
上传日期:2022-12-20
文件类型:PDF
文件大小:2193.37K
资料积分:3分
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资料介绍
国产首款1700V SiC MOSFET针对高压电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on)
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