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> 国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI
国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI
上传用户:
英尚微电子
上传日期:2021-03-11
文件类型:PDF
文件大小:11156.02K
资料积分:0分
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资料介绍
EMI7008LSMI该器件是8Mb串行访问的SRAM存储芯片,内部组织为1024K字,每个8位。该器件采用先进的CMOS技术进行设计和制造,以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择(/CS)输入进行操作,并通过与SPI兼容的简单串行接口进行访问
标签:
SRAM
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