氮化镓 (GaN) 半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管 (LED) 投入商业应用，随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步，但在将近二十年后，该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。氮化镓目前是半导体行业增长最快的细分市场之一，复合年增长率估计在 25% 至 50% 之间，其驱动力来自对能效更高设备的需求，以期实现可持续发展和电气化目标。与硅晶体管相比，氮化镓晶体管可以设计出体积更小、效率更高的器件。氮化镓最初
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ADI 氮化镓 功率元件
作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日，又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
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碳化硅 氮化镓 化合物半导体
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列，包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS
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Power Integrations Odyssey 氮化镓 GaN
近日，Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓（GaN）器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。与上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，两
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功率半导体 氮化镓 GaN
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN®平台的系统级封装氮化镓产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和T
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Transphorm 伟诠 SiP氮化镓 氮化镓
《科技日报》19日报导，电子科技大学信息与量子实验室透露，该实验室研究团队近日与北京清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这也是电子科技大学「银杏一号」城域量子互联网研究平台，取得的又一项重要进展，相关成果发表在《物理评论快报》上。据了解，量子光源芯片是量子互联网的核心器件，可以看作点亮「量子房间」的「量子灯泡」，让互联网使用者拥有进行量子信息交互的能力。研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技
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氮化镓 量子光源
据天府绛溪实验室官微消息，近日，电子科技大学信息与量子实验室、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，也是天府绛溪实验室在关键核心技术领域取得的又一创新成果。据悉，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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氮化镓 量子光芯片
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
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氮化镓 FET
3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
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碳化硅 氮化镓 第三代半导体
根据韩国媒体THE ELEC的报导，模拟芯片大厂德州仪器(TI)的一位高层表示，该公司正在将其多个晶圆厂生产的6英寸氮化镓(GaN)芯片，转移到8英寸晶圆厂来生产。报导指出，德州仪器韩国公司经理Jerome Shin在首尔举行的新闻发布会上表示，德州仪器正在达拉斯和日本会津准备兴建8英寸晶圆厂，这将使其能够提供更具价格竞争力的GaN芯片JeromeShin指出，人们普遍认为GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂贵，但这种看法自2022年以来发生了转变。因为德州仪器正在将其生产由6英寸晶圆厂转换为8英寸晶圆厂
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德州仪器 氮化镓 模拟芯片
近日，美国GaN器件厂商Odyssey宣布出售公司资产。目前，Odyssey已与客户签署最终协议，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，交易金额为952万美元，目前买家信息处于保密状态。资料显示，Odyssey成立于2019年，专注基于专有的氮化镓（GaN）处理技术开发高压功率开关元件和系统，拥有一座面积为1万平方英尺的半导体晶圆制造厂，配备了一定比例的1000级和10000级洁净空间以及先进半导体开发和生产工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化镓场效应晶体管。偿还贷款和交易费用后，公司预
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氮化镓 第三代半导体
引言随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储以及人工智能(AI)，服务器的需求也在呈指数级增长。鉴于这些趋势，设计人员面临着一项重大挑战：如何在持续提升设计效率的同时，在相同的尺寸内实现更高的功率。这一挑战已经推动了氮化镓(GaN)在高压电源设计中的广泛应用，原因在于GaN具有两大优势：● 提高功率密度。GaN的开关频率较高，使设计人员能够使用体积更小的无源器件（
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氮化镓 中压应用
自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费电子产品市场已是一片红海，竞争日趋激烈。面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸。GaN的特殊价值，正在消费电子之外的多个领域持续释放。01GaN正在加速“上车”在汽车电动化与智能化趋势下，汽车搭载的电子电力系统越来越多。而与传统硅材料相比，基于GaN材料制备的
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氮化镓 第三代半导体 消费电子
英飞凌科技股份公司近日宣布与Worksport Ltd.合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。Worksport首席执行官Steven Rossi表示：“英飞凌高质量标准和稳固的供应链为我们提供了
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英飞凌 Worksport 氮化镓 GaN 便携式发电站
2024 年 3 月 7 日，中国——意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET
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意法半导体 同步整流控制器 氮化镓 功率转换器
氮化镓.三相电力系统介绍
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