- IT之家 12 月 11 日消息，据中国科学院微电子研究所消息，近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第 14 届氮化物半导体国际会议 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半导体材料在光电子、能源、通信等领域具有广泛的应用前景。随着下游新应用的快速发展以及衬底制备技术的不断突破，氮化物半导体功率器件实现了成本和效率的大幅改善，
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氮化镓
- ● 助力工程师开发系统尺寸减半且效率超过 95% 的交流/直流解决方案，从而简化散热设计● 全新氮化镓器件可兼容交流/直流电源转换中常见的拓扑结构德州仪器 (TI)近日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET) 全系列产品均集成了栅极驱动器，能解决常见的散热设计问题，既能让适配器保持凉爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州仪
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德州仪器 氮化镓 电源适配器
- 多年前，仅仅65W左右的笔记充电器如同砖头一般大小，外出携带十分不便，但随着随着氮化镓器件的全面使用，充电器的功率密度已经翻了一倍有余，同样65W的充电器只有之前的一半大小，很轻松就可以放入包内携带。但随着充电器集成度越来越高，对ACDC芯片的要求也愈加苛刻。为应对市场需求，钰泰半导体潜心研发，相继推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片。钰泰半导体ACDC芯片钰泰半导体ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片部分规格如图
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充电器 氮化镓
- 伦敦2023年11月15日 /美通社/ -- 随着Omdia预测电动汽车 (EV) 革命将引发新型半导体激增，电力半导体行业的几十年旧规范正面临挑战。人工智能热潮是否会产生类似的影响？功率分立器件、模块和IC预测Omdia半导体元件高级分析师卡勒姆·米德尔顿表示：“长期以来依赖硅技术的行业正受到新材料制造的设备的挑战和推动。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的开发始于上个世纪，但它们的技术成熟度与可持续发展运动相匹配，新材料制造的设备在能源匮乏的世界中有着显著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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- 在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅
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PI 氮化镓 碳化硅
- 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可
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- 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出
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- 紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加，从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电(QC) 适配器，到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说，面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性，同时继续降低成本，提高效率，缩小外形尺寸以提高功率密度。为了解决其中的许多问题，设计者可以用基于宽带隙 (WBG) 技术的器件 (GaN) 来取代硅 (Si) 功率开关。这样做直接转化为提高电源效率和减少对散热器的需求，从而实现更高的功率密度。然
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- 今年3月，一场收购案迅速登上氮化镓（GaN）领域头条，因为主角是多年蝉联全球功率半导体市场占有率第一的英飞凌。几个月过去，这场收购案迎来了结局。10月25日，英飞凌官微指出，英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN
Systems，以下同）。该交易已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN
Systems已正式成为英飞凌的组成部分，并为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。市场竞争力再上一层楼2023年3月2日，英飞凌和G
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- 英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司（GaN Systems，以下同）。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示，“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍，有助于推动低碳化进程。收购 GaN Syste
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- 氮化镓功率半导体产品的全球领先企业Transphorm, Inc.近日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是，该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案，从根本上 (物理层面) 削弱了诸多氮化镓自身的性能优势。要点白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势，包括：1.性能更高：优越的 TCR (~25%)，更低的动态与静态导通电阻比
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Transphorm 常闭耗尽型 D-Mode 增强型 E-Mode 氮化镓
- 1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化镓）功率半导体领域的全球领先企业，致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前处于开发阶段）氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利，氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司，这意味着在器件开发的每个关键阶段，我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺，直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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- 数位经济正经历一场由两大趋势驱动的巨大变革，即时数据分析的庞大需求为其一，另一则是生成式人工智能（Generative
AI）的快速发展。一场激烈的生成式AI竞赛正如火如荼的进行中，科技巨头如亚马逊（Amazon)、谷歌（Google)、微软（Microsoft）皆大举投资生成式AI的研发创新。根据彭博智库（Bloomberg
Intelligence）预测，生成式AI市场将以42%的年增率成长，从2022年400亿美元市值，于10年内扩大至1.3兆美元。在AI的蓬勃发展下，数据中心对电力与运算的
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- 几乎所有现代工业系统都涉及交流/直流电源，这些系统从交流电网获得能量，并将经过妥善调节的直流电压输送到电气设备。随着全球功耗增加，交流/直流电源转换过程中的相关能量损耗，成为电源设计人员整体能源成本考虑的重要部份，特别是高耗电电信和服务器应用的设计人员。 氮化镓有助于提高能效并减少交流/直流电源的损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，透过最低 0.8% 的效率增益，采用氮化镓的图腾柱功率因子校正（PFC）有助于100 MW数据中心在10年内节省多达700万美元的能源成本。 选择正确的 PFC 级拓
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氮化镓介绍
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