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巨磁阻 文章 进入巨磁阻技术社区

巨磁阻多圈位置传感器的磁体设计

  • 基于巨磁阻(GMR)传感技术的真正上电多圈传感器必将彻底改变工业和汽车用例中的位置传感市场,因为与现有解决方案相比,其系统复杂性和维护要求更低。本文说明了设计磁性系统时必须考虑的一些关键因素,以确保在要求严苛的应用中也能可靠运行。其中还介绍了一种磁性参考设计,方便早期采用该技术。在上一篇文章中,我们介绍了多圈传感技术以及一些关键应用领域,例如机器人、编码器和线控转向系统。
  • 关键字: 巨磁阻  多圈位置传感器  磁体设计  ADI  
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巨磁阻介绍

  巨磁阻又称特大磁电阻,即GMR(Giant Magneto Resistive),庞磁电阻等其MR(磁电阻)可高达10^6%。演示巨磁阻现象的基本器件是两层或多层铁磁体,由非磁性材料分开。每一层的厚度都在纳米数量级。而巨磁阻是基于两个基本的物理过程。  巨磁阻的因其系统简单却又效应明显,1994,IBM成功地将巨磁阻效应运用在硬碟读写磁头,将磁碟容量提高了近20倍,也成功地在硬碟市场上夺得领先 [ 查看详细 ]

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