- 当下，新冠状病毒肺炎已经成为了一项全球性的事件，那么对于半导体这样全球化程度极高的产业链来说就不是冲击了。韩国作为拥有三星、SK海力士、LG电子等半导体大厂的国家自然首当其冲。2月22日，三星位于韩国东南部龟尾市的智能手机制造工厂确认一例新冠肺炎病例，工厂已紧急关闭。24日，SK海力士利川工厂800多名员工进行隔离。海力士后来表示，利川工厂拥有1万8千多名员工，工厂的运营不会受此影响。韩国龟尾市半导体行业齐聚，半导体行业面临考验。据悉，庆尚北道是面积最大的行政区，同时也是韩国重要的制造业产地，其下属的鱼尾
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SK海力士 三星 半导体供应
- 今日,集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布了全球DRAM厂自有品牌内存营收最新排名。从2019年第四季营收表现来看,除了SK海力士、美光之外,其它内存厂营收都出现了不同程度的下跌。三星依然排名第一,但因服务器端的出货成长略低于同业,销售位元出货量仅成长2-3%,加上报价下跌,营收衰退5%,来到67.6亿美元。SK海力士的销售位元成长达8%左右,尽管报价下跌,第四季营收来到45.4亿美元,较上季增加2.9%。美光销售位元出货成长近10%,营收为34.7亿美元,较上季上升2.1%。台系厂商部
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三星 美光 内存 SK海力士
- 今日，集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布了全球DRAM厂自有品牌内存营收最新排名。从2019年第四季营收表现来看，除了SK海力士、美光之外，其它内存厂营收都出现了不同程度的下跌。三星依然排名第一，但因服务器端的出货成长略低于同业，销售位元出货量仅成长2-3%，加上报价下跌，营收衰退5%，来到67.6亿美元。SK海力士的销售位元成长达8%左右，尽管报价下跌，第四季营收来到45.4亿美元，较上季增加2.9%。美光销售位元出货成长近10%，营收为34.7亿美元，较上季上升2.1%。台系厂商部
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内存、三星、SK海力士、美光
- 张明花（集邦咨询顾问（深圳）有限公司 编辑，深圳 518000） 摘 要：预估2020年全球内存市场的年成长率仅为12.2%，这个数字在年成长动辄25%、甚至40%~50%的传统内存产业是非常低的。三星、SK海力士、美光等内存厂商2020年将以获利为主要目标，资本支出也会减少。 关键词：内存；DRAM；三星；SK海力士；美光 观察全球内存（DRAM）市场供需格局以及价格走势，在历经近5个季度的库存调整后，2019年第4季 度DRAM市场仍处于微幅供过于求状态，即便2020年 第1季度DRAM的
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- 日前，海太半导体与SK海力士三期合作意向书在锡签约，无锡市副市长、高新区党工委书记、新吴区委书记王进健，高新区党工委副书记、管委会主任、新吴区委副书记、区长封晓春，区领导洪延炜、匡辉，区财政局、综保区管理局、招商中心相关负责人、无锡产业发展集团董事局主席、党委书记蒋国雄、太极实业副董事长、总经理、党委书记兼海太半导体董事长、总经理孙鸿伟及其他海太半导体董监高等领导出席活动。
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海太半导体 SK海力士 无锡
- 2019年快过完了，PC市场最大的变化是什么？很显然，AMD、Intel在CPU市场上的激烈竞争要画上浓重的一笔，今年CPU市场引爆了核战，双方12核、16核乃至24核处理器不仅多了，而且价格也便宜了。CPU竞争导致高端CPU降价，这对PC行业来说是个好事，处理器越来越便宜，消费者购买欲望就提升了，买CPU就得买一套主机，内存、SSD硬盘的需求也带起来了。SK海力士在上周的财报会议中就指出，处理器市场的竞争使得消费者购买了更多的内存及SSD硬盘，另外Win7即将停止支持也推动了企业级客户的升级换代需求。就
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- 近日，SK海力士今天宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4 DRAM，据称，这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。
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- 据韩国《中央日报》报道，在日本政府限制向韩国出口氟化氢、光刻胶、含氟聚酰亚胺等尖端半导体材料后，SK海力士设在中国无锡的半导体工厂已经完全使用中国生产的氟化氢取代了日本产品。
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- 据BusinessKorea报道，近日，美光科技、SK海力士和西部数据等内存芯片制造商宣布，随着全球需求的下降，他们将减产。相反，三星电子表示，它不会减少其内存芯片产量，而是通过提高生产线的效率来应对不断变化的市场环境。
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- SK海力士于26日宣布，将量产全球首款128层的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND闪存，并计划下半年开始销售。
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SK海力士 4D NAND 128层
- SK海力士宣布，已经全球第一家研发成功并批量生产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此SK海力士应用了一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术，等等。同时，新的128层4D闪存单颗容量1Tb(128MB)，是业内存储密度最高的TLC闪存，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。虽然包括SK
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SK海力士
- DRAM价格第2季大幅走跌，根据供应链透露，6月起DRAM颗粒现货价格再度走跌，主流交易规格的8Gb颗粒正式跌破3美元关卡。
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三星电子 SK海力士 美光 南亚科 DRAM
- NAND闪存价格从2018年初到现在已经连跌6个季度了，厂商一方面在削减产能以控制供需情况，另一方面也在加强低成本的NAND闪存开发，今年就会开始从TLC闪存向QLC闪存转变。SK Hynix去年底宣布了96层堆栈的QLC闪存，号称是首个4D NAND闪存，今天该公司宣布正式出样96层QLC闪存，核心容量1Tbit。
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闪存 SK海力士 QLC闪存
- SK海力士近日宣布，将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。
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