SiC MOSFET 在功率半导体市场中正迅速普及,因为它最初的一些可靠性问题已得到解决,并且价位已达到非常有吸引力的水平。随着市场上的器件越来越多,必须了解 SiC MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异,以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响,作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分,还将提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔离栅极驱动器)的使用指南。本文为第三部分,将重点介绍NCP517
在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体
如今,碳化硅用于要求苛刻的半导体应用,如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性,基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步,但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。如今,碳化硅用于要求苛刻的半导体应用,如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性,基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物
2018 年,特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块换成了 SiC 模块,成为第一家在量产汽车中使用 SiC 芯片的电动汽车公司。特斯拉的使用结果表明,在相同功率等级下,SiC 模块的封装尺寸明显小于硅模块,并且开关损耗降低了 75%。换算下来,采用 SiC 模块替代 IGBT 模块,其系统效率可以提高 5%左右。一场特斯拉的大风,引燃了 SiC。然而,就在刚刚过去的 3 月份,特斯拉却突然宣布,下一代的电动车传动系统 SiC 用量大减 75%,因借创新技术找到下一代电动车动力系统减少使用 S
SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能.
Si [ 查看详细 ]