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> 用户手册:安森美的1200 V SiC MOSFET评估板用于能源基础设施提供高能效、高功率密度和出色的散热
用户手册:安森美的1200 V SiC MOSFET评估板用于能源基础设施提供高能效、高功率密度和出色的散热
上传用户:
EEPW
上传日期:2022-07-05
文件类型:PDF
文件大小:3226.98K
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资料介绍
该评估板含4颗1200 V SiC MOSFET,4颗大电流电隔离门极驱动器,1个隔离型DC-DC电压源,采用绝缘金属基板 (IMS) PCB,全桥拓扑。此用户手册概述评估板框图、主板外形尺寸、电源连接、热阻测试、应用测试、原理图、布板和物料单(BOM)。
标签:
onsemi
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安森美
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能源基础设施
,
SiC
,
MOSFET评估板
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