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NAND市况是“业内有史以来最糟糕的”

  • 根据iSuppli公司的正式消息,NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的,并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地,供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。 与2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND闪存的平均定价有望下降35%到40%。这种戏剧性的价格下滑意味着NAND闪存业务作为一个整体将在今年第一季度遭遇运营损失,该市场有史以来第一次发生这样的事情。 经济学101法则 需求对降价呈现弹性的响应,市况恶劣的主要原因在于NAND供
  • 关键字: NAND  闪存  存储  DRAM  

NAND近期市场形势升级为“中性”

  • 对于受严重价格侵蚀打击近六个月之久的NAND闪存供应商来说,现在有好消息但不是最好的消息:iSuppli公司已经更新了近期该市场的形势评级。 目前,iSuppli将2006年10月2日那一周以来一直保持的NAND供应商市场形势评级自“负面”升为“中性”。就在两周前,iSuppli还认为供应商的情况是有史以来最为糟糕的。但是峰回路转—在持续恶劣条件的情况下,其拐点即将来临。 iSuppli的NAND动量指标—上周跟踪各项决定市场状态因素的指标向正临界偏移,该现象是自2006年11月13日那一周后首次出现。
  • 关键字: NAND  存储  

NAND市场在一季度遭遇最惨痛经历

  • 一季度NAND闪存市场有多糟糕? 糟糕得惊人! •        全球NAND市场营收下降了6.84亿美元,相比2006年第四季度下降了20.6%! •        市场如此糟糕以至于一个被公认为该市场领军供应商NAND的营收在此期间下降了10.1%! •    &nbs
  • 关键字: NAND  

受三星停电事件影响 NAND价格上涨15-25%

  •     根据集邦科技资料,8月上旬NAND型闪存价格受韩国三星停电事件影响,平均上涨约15-25%。集邦分析师指出,由于短期内旬NAND型闪存市场供货不足,预估8月下旬价格将持平或小涨。     据港台媒体报道,三星半导体厂区在8月3日下午发生停电事件,使得该公司的6、7、8、9以及14厂的生产均受到停电中断的影响,但三星已宣布于8月4日下午恢复到正常生产状况,根据该公司初步估计损失约4300万美元。  &
  • 关键字: 消费电子  三星停电  NAND  存储器  

NAND闪存芯片吃紧 加剧行业整合态势

  •     随着NAND闪存芯片需求的增加,内存厂商已越来越难得到充足的NAND闪存芯片供应,NAND闪存芯片吃紧加剧了内存产业整合,业内人士称现在已有许多小规模的内存厂商从市场中退出。   今年前一段时间NAND闪存芯片价格出现了下滑,现在价格又开始了回升,可这并不能让众多内存厂商高兴起来,因为并非所有的内存厂商都能得到足够的NAND闪存芯片供应,特别是在苹果霸占了三星的大量NAND产品的情况下。   现在约有一半的二线三线内存厂商退出了NAND闪存业务,这也是不得已而为之,由
  • 关键字: 消费电子  NAND  闪存  芯片  

中芯国际切入NAND闪存市场

  •     在iPhone的带动下,NAND闪存市场近期一片大好,国内的晶元代工大厂中芯国际也抵制不住NAND闪存市场的诱惑,在近期宣布,下半年将开始量产2Gb NAND闪存颗粒并已经投入8Gb NAND闪存颗粒的研发,预计明年将成为全球重要的NAND闪存颗粒供应厂之一。      受到今年Q2内存价格崩盘以及0.13微米制程代工竞争激烈影响,国内晶元代工大厂中芯国籍Q2营收出现约200万美元左右的税后亏损。做为晶元代工
  • 关键字: 消费电子  中芯国际  NAND  

微软联手英特尔戴尔开发标准NAND闪存接口

  • 5月31日消息,美国当地时间5月30日,微软公司宣布将与英特尔、戴尔结成合作伙伴关系,开发面向PC的标准NAND闪存接口。 据techspot网站报道称,名为“非挥发性内存主机控制器接口组织”的这一组织是由英特尔倡导成立的,旨在利用闪存加速现代操作系统中的功能,例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。  该组织希望能够加速其标准的普及,从而使其优势得到真正的体验。英特尔或其它厂商是否会将这一接口提供给Windows之外的其它软件还不得而知,但从该组
  • 关键字: NAND  微软  消费电子  英特尔  消费电子  

美国美光科技:NAND闪存的未来在SSD

  • 作为赞助商参加Windows Hardware Engineering Conference(WinHEC)的美国美光科技公司(Micron Technology, Inc.)举办了名为“Flash Memory Technology Direction”的技术研讨会(Technical Session)。该公司 Memory Products Group 的首席应用工程师(D
  • 关键字: NAND  SSD  消费电子  消费电子  

NAND Flash和NOR Flash的比较

  •   NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。   相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因
  • 关键字: flash  NAND  NOR  存储器  消费电子  

台模块厂饱受NAND Flash缺货之苦 三星阵营台厂压力倍增

  • 相较于DRAM价格萎靡不振,近期南韩内存大厂三星电子(Samsung Electronics)对于拉抬NAND型闪存( Flash)市场不遗余力,然最令客户头痛的问题是,目前三星电子受限于产能问题,释出给台厂NAND Flash货源仍相当有限,各模块厂都饱受缺货之苦,而隶属于东芝(Toshiba)阵营的客户,尤其是内存模块大厂金士顿(Kingston),由于东芝给予的成本较低,最近在大陆市场低价策略越来越积极,这让与三星电子站在同一阵营的台厂压力倍增。 近期三星电子不断释出N
  • 关键字: Flash  NAND  三星  消费电子  模块  消费电子  

DRAM价格或将触底,NAND供应商加快开发内置产品

  • 据Dramexchange消息,4月下半月的DRAM合约价格下跌到了20美元左右,这也影响到了现货市场的价格走势。面向2007年下半年PC销售旺季,PC厂商将增加库存,预计DRAM需求将随之增长。因此,DRAM价格可能在2007年下半年触底。价格持续下滑,已使DRAM厂商濒临亏损。向更先进的生产工艺转移,以及提高1GB芯片的出货量,将是决定2007年下半年DRAM厂商业绩的两大因素。由于需求仍然疲软,现货市场的价格环境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近,DDR2 eTT跌到
  • 关键字: DRAM  NAND  内置产品  消费电子  存储器  消费电子  

东芝推出业界容量最大的嵌入式 NAND 闪存

  •   东芝公司 (Toshiba Corp.) 与其美洲子公司东芝美国电子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 联合宣布,该公司已经推广了一种新型嵌入式 NAND 闪存系列产品,这一系列产品遵从了 eMMC 标准并且容量达到该行业之最。这种容量为 16GB 的新设备旨在应用于手机和摄像机等移动消费产品。样品将于今年第二季度推出市场,大批量的生产将于第四季度开始。在这之前,东芝将在本月开始推出 8GB 样品,并将于第三季度开始大规模生产。   
  • 关键字: NAND  单片机  东芝  嵌入式系统  闪存  

从NAND闪存中启动U-BOOT的设计

  • 引言 随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存设备就是为了满足这种需求而迅速发展起来的。目前关于U-BOOT的移植解决方案主要面向的是微处理器中的NOR 闪存,如果能在微处理器上的NAND 闪存中实现U-BOOT的启动,则会给实际应用带来极大的方便。 U-BOOT简介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多种架构的处理器,也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多种操作系统,主要
  • 关键字: NAND  U-BOOT  消费电子  消费电子  

爱特梅尔推出新型ARM7 闪存微控制器

Micron35亿美金押宝NAND闪存

  •    美国半导体厂商Micron美光表示,他们将于2007年在NAND闪存业务上投入35亿美金的巨资,以扩充生产NAND闪存的设备之用。     产业分析师认为,美光之所以35亿美金巨资押宝NAND闪存,一方面在于看好NAND闪存在计算机产品、消费电子产品上的应用前景,另外,美光也希望借此在和三星电子、东芝等竞争对手的NAND大战当中保持优势地位。    美光之前和Intel合资成立IM Flash公司,目前的主营业务就是NAND闪存。
  • 关键字: Micron  NAND  单片机  美金  嵌入式系统  闪存  
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nand介绍

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR. 简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [ 查看详细 ]

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