基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
奈梅亨，2023年11月30日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动
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Nexperia SiC MOSFET 工业电源开关
Nexperia近日宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能。该公司提供的高性能SiC模块产品性能可靠，在业界享有盛誉。日本备受赞誉的高速新干线列车采用了这些模块，并以出色的效率、安全性和可靠性闻名遐迩。N
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Nexperia 三菱电机 SiC MOSFET
奈梅亨，2023年11月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块，适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。此次发布将进一步加深双方长期以来保持的紧密合作关系。 制造商对下一代功率应用的关键需求是节省空间和减轻
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Nexperia KYOCERA 功率应用 650 V 碳化硅 整流二极管
随着全球对可再生能源的日益关注以及对效率的需求，高效率，高可靠性成为功率电子产业不断前行的关键。Nexperia（安世半导体）的 IGBT 产品系列优化了开关损耗和导通损耗, 兼顾马达驱动需求的高温短路耐受能力，实现更高的电流密度和系统可靠性。自推出以来，绝缘栅双极晶体管（IGBT）由于其高电压、大电流、低损耗等优势特点，被广泛应用于马达驱动，光伏，UPS，储能，汽车 等领域。变频器变频器由于“节能降耗”等优势，广泛的使用在电机驱动的各个领域。让我们先来走进变频器，看看变频器的典型电路。“交—直—交”电路
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Nexperia IGBT
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布扩展其超低电容ESD保护二极管产品组合。该系列器件旨在保护汽车信息娱乐应用的USB、HDMI、高速视频链路和以太网等接口的高速数据线路。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封装，可在汽车生产线中通过侧边爬锡进行光学检测。此外，PESD18VF1BBL-Q、PESD24VF1BBL-Q和PESD30VF1BBL-Q还提供紧凑
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Nexperia 超低结电容 ESD保护二极管 汽车数据接口
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布新推出全新的500 mA双通道内置电阻晶体管(RET)系列产品，均采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装。新系列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关，也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是，DFN封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中，可节省大量电路板空间。此外，无引脚DFN封装本身的空间效益较高。这种集成和封装有
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Nexperia 500mA RET 高功率 负载开关
Nexperia总部位于荷兰，是一家拥有60多年历史且发展迅速的全球性半导体企业。公司年产量超过1000亿件，Nexperia深知自身对保护环境应承担的社会责任。今年五月，Nexperia发布了其首份可持续发展报告，其中针对公司的环境影响、社会责任、增长目标以及其作为国际行业领导者的重要角色进行了评估。今天，Nexperia自豪地宣布其实现碳中和的预期目标，同时秉持公开透明的原则，并采取问责制度。Nexperia致力于到2035年在其直接运营排放（范围1）和为运营采购能源而产生的间接排放（范围2）方面实现
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Nexperia 碳中和
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG风险评级中取得了18.7分的优异成绩，达到了新的重要里程碑。这是Nexperia首次参与ESG风险评级，在全球半导体设计和制造子行业的221家评估实体中排名前11%，这一优异表现也使其顺利跻身于知名企业前列。 Morningstar Sustainalytics对Nexperia在环境、社会和治理(ESG)方面的表现进行综合评估，认为Nexperia遭
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Nexperia ESG 风险评级
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出负载开关产品系列，进一步扩充其模拟和逻辑产品组合。NPS4053是本次产品发布的主角，这是一款高密度集成电路(IC)，凭借小巧的尺寸提供优异的系统保护性能，可帮助提高系统可靠性，保障系统安全。该器件经过优化升级，适合应用于便携式设备（如笔记本电脑）、台式电脑、扩展坞和车载信息娱乐系统。 负载开关是各种现代电子系统正常工作必不可少的器件。这些开关在以受控方式管理从电源到负载的电流/电压方面发挥着关键作用。在典型的电源链中，NPS405
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Nexperia 负载开关
绝缘栅双极性晶体管（IGBT）面市已有些时日，事实上，通用电气（GE）早在1983年6月就发布了其首款IGBT产品。从那时起，IGBT成为了中压和高压（>200 V ）应用的主要器件，包括供暖通风与空气调节（HVAC）系统以及电焊和感应加热等高电流应用。随着太阳能面板、电动汽车充电器和工业伺服电机的日益普及，市场对高压解决方案的需求也在不断攀升。为了满足各个行业的需求，并进一步完善持续扩大的高压技术产品组合（GaN和SiC），Nexperia （安世半导体）正在推出多个 IGBT系列，首先便是600
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Nexperia IGBTs
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术，是专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设计的新型电池寿命增强器，相比于同类解决方案，可将该类电池寿命延长10倍，与未使用电池增强器的典型纽扣电池相比，使用该增强器还可将电池的峰值输出电流能力提高至25倍。大幅延长工作寿命意味着低功率物联网(IoT)和其他便携式应用中的废旧电池数量将显著减少，同时，过去只能由AA-或AAA-电池提供动力的应用也有望改用纽扣电池。 &
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Nexperia 纽扣电池 功率增强器
奈梅亨，2023年6月21日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。 长期以来，品质因数Qg*RDSon一直是半导体制造商提高MOSFET开关效率的重点。然而，一味地降低该品质因数导致产生了意外后果
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Nexperia MOSFET
奈梅亨，2023年5月11日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出与功率MOSFET配套使用的新一代交互式数据手册，大幅提升了对半导体工程师的设计支持标准。通过操作数据手册中的交互式滑块，用户可以手动调整其电路应用的电压、电流、温度和其他条件，并观察器件的工作点如何动态响应这些变化。 这些交互式数据手册使用Nexperia的高级电热模型计算器件的工作点，可有效地为电路仿真器提供一种图形用户界面。此外，工程师借助这些交互式数据手册可以即时查看栅极电压、漏极电流、RDS(o
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Nexperia 交互式数据手册 MOSFET
奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
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