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MOS管驱动电路设计

  • MOS管因为其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管,其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。电源IC直接驱动电源IC直接驱动是最简单的驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。· 查看电源IC手册的最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是不一样的。· 了解MOS管的寄生电容,如图C1、C2的值,这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大,MOS管导通的需要的能量就比较大,如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流,那么管子导通的速度就比较慢,就达
  • 关键字: MOS管  驱动  电路  设计  

MOS管系列在服务器电源上的应用

  • 服务器电源是指使用在服务器上的电源(POWER),它和PC电源一样,都是一种开关电源,指能够将交流电转换为服务器所需直流电的电源。一、前言 服务器电源是指使用在服务器上的电源(POWER),它和PC电源一样,都是一种开关电源,指能够将交流电转换为服务器所需直流电的电源。服务器电源按照标准可以分为ATX电源和SSI电源等。ATX标准使用较为普遍,主要用于台式机、工作站和低端服务器;而SSI标准是随着服务器技术的发展而产生的,适用于各种档次的机架式服务器。 二、产品应用及工作原理 
  • 关键字: 瑞森半导体  MOS管  

MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行

  • MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种类型:电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。MOS管被击穿的原因及解决方案?· MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应
  • 关键字: MOS管  电阻  静电  

MOS管驱动电路设计,如何让MOS管快速开启和关闭?

  • 关于MOS管驱动电路设计,本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET(MOS管)是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS管的G极和S极之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结电容,电感为电路走线的寄生电感:如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢?对于一个
  • 关键字: MOS管  驱动电路  设计  

【干货】抛开教材,从实用的角度聊聊MOS管

  • 我们把单片机的一个IO口接到这个MOS管的gate端口,就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候,NMOS就等效为这个被闭合的开关,指示灯光就会被打开;那输出为低的时候呢,这个NMOS就等效为这个开关被松开了,那此时这个灯光就被关闭,是不很简单。当说到MOS管的时候呢,你的脑子里可能是一团糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话:MOS管全称金属氧化半导体场效应晶体管,英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
  • 关键字: MOS管  

晶体管、MOS管、IGBT辨别与区分

  •   晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启,不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启,也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要,小编根据所学及理解做如下总结,希望能给大家一些帮助。一、晶闸管  1、别名:可控硅是一种大功率半导体器件,常用做交流开关,触发电流>50毫安  2、特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率  3、主要应用领域:整流、逆变、变频、斩波(直流-
  • 关键字: IGBT  晶体管  MOS管  

PFC电路MOS管应用电路振荡问题分析

  • 本文介绍了传统PFC电路MOS管在应用过程中产生振荡的机理,通过具体的案例详细分析了因MOS振荡引起损坏的原因,并结合实际应用给出具体的解决措施和方案,通过实验及大批量的生产验证表明,措施有效,稳定且可靠,对PFC电路MOS管应用电路及参数匹配具有重要的借鉴和参考意义。
  • 关键字: 202008  PFC电路  MOS管  振荡  MOSFET  202008  

使用MOS管的注意事项

  • MOS管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^7~10^12Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
  • 关键字: MOS管  互补MOS  

万用表测试MOS管使用及更换总是很难?看看这个吧!(二)

  •   现在由于生产工艺的进步,出厂的筛选、检测都很严格,我们一般判断只要判断MOS管不漏电、不击穿短路、内部不断路、能放大就可以了,方法极为简单:  采用万用表的R×10K挡;R×10K挡内部的电池一般是9V加1.5V达到10.5V这个电压一般判断PN结点反相漏电是够了,万用表的红表笔是负电位(接内部电池的负极),万用表的黑表笔是正电位(接内部电池的正极),如上图所示。  2)测试步骤:  把红表笔接到MOS管的源极S;把黑表笔接到MOS管的漏极D,此时表针指示应该为无穷大,如下图所示。如果有欧姆指数,说明
  • 关键字: MOS管  万用表  

六个可能让MOS管失效的原因分析

  •   目前在市场应用方面,排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品,随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。  第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了,这些产品对于MOS管的需求也是很大的,特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。    下面对MOS失效的原因总结以下六点,然后对1,2重点进行分析:  雪崩失效(电压失效),也就
  • 关键字: MOS管  

用结点温度评估器件可靠性的案例分析

  •   工程师在设计一款产品时用了一颗9A的MOS管,量产后发现坏品率偏高,经重新计算分析后,换成了一颗5A的MOS管,问题解决。为什么用电流裕量更小的器件,却能提高可靠性呢?  工程师在设计的过程中非常注意元器件性能上的裕量,却很容易忽视热耗散设计,案例分析我们放到最后说,为了帮助理解,我们先引入一个概念:  其中Tc为芯片的外壳温度,PD为芯片在该环境中的耗散功率,Tj表示芯片的结点温度,目前大多数芯片的结点温度为150℃,Rjc表示芯片内部至外壳的热阻,Rcs表示外壳至散热片的热阻,Rsa表示散热片到
  • 关键字: 结点温度  MOS管  

开关电源变压器温升过高问题改善方法

  • 在开关电源变压器的工作过程中,工程师不仅需要综合考虑其设计构造的合理性问题,还需要严格把控其温升范围,以免出现温升过高导致工作效率下降的问题
  • 关键字: 开关电源  变压器  MOS管  

MOS管驱动电路详解

  • 使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也
  • 关键字: MOS管  驱动  开关电源  

必藏!小功率 MOS管 选型手册

  • 绝对要收藏的小功率 MOS管 选型手册。KD2300 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻28mOmega;、电流6A、可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的23
  • 关键字: MOS管  选型  

MOS管入门——只谈应用,不谈原理

  •   1、三个极怎么判定  G极(gate)—栅极,不用说比较好认  S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是  D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边  
  • 关键字: MOS管  
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mos管介绍

  mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。   双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transc [ 查看详细 ]

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