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EDO,RAM 请教:EDO-RAM的读写问题
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问
我最近在调试读写EDO-RAM,看是否能成功的写入和读出,结果遇到了一些问题,百思不得其解,还望各位高手能指点指点!!!万分感激!!
当我向EDO-RAM中几个连续单元写入以下数据时:
eb
99
23
34
45
56
61
为什么读出的时以下数据
0
99
eb
34
23
56
45
这几个单元之后的三个没有写过的连续单元的内容为:
0
61
0
感觉上以上数据还时有一些规律的,奇数单元的内容都往下移了两个单元。
实在时弄不明白,还望各位高手指教,谢谢!! 答 1: 补充一点 当进行16位的读写时,读得的都是下一个16位单元的内容
答 2: 看不懂唉!看不懂唉! 答 3: 经过几天的查找!更准确地错误是这样的: 经过几天的查找!更准确地错误是这样的:
小弟现在是用s1d13505与44b0接口,而s1d13505本身要外扩EDO-DRAM来做显存地。通过44b0可以对s1d13505的寄存器进行读写。寄存器应该是设置正确的(DEO-DRAM的管理寄存器也只有那几个,而且小弟是用13505cfg设置的)。但是就在小弟对显存(EDO-DRAM)进行读写时,出现了问题,写是可以写进去的,但读出的内容都是上一个读周期的数据,而下一个读周期读出的是这个读周期读出地数据
即,如果有3个读周期本来理论上读出的是
1234
5678
9123
但真实的读出为
0
1234
5678
反正无论怎么样读出地数据都是滞后一个读周期的。
我猜想应该是时序问题,但s1d13505上对时序的设置就两个。
实在是搞不明白,已经一个多星期了,还望用过EDO-RAM的高手指点指点,万分感激!!!!
当我向EDO-RAM中几个连续单元写入以下数据时:
eb
99
23
34
45
56
61
为什么读出的时以下数据
0
99
eb
34
23
56
45
这几个单元之后的三个没有写过的连续单元的内容为:
0
61
0
感觉上以上数据还时有一些规律的,奇数单元的内容都往下移了两个单元。
实在时弄不明白,还望各位高手指教,谢谢!! 答 1: 补充一点 当进行16位的读写时,读得的都是下一个16位单元的内容
答 2: 看不懂唉!看不懂唉! 答 3: 经过几天的查找!更准确地错误是这样的: 经过几天的查找!更准确地错误是这样的:
小弟现在是用s1d13505与44b0接口,而s1d13505本身要外扩EDO-DRAM来做显存地。通过44b0可以对s1d13505的寄存器进行读写。寄存器应该是设置正确的(DEO-DRAM的管理寄存器也只有那几个,而且小弟是用13505cfg设置的)。但是就在小弟对显存(EDO-DRAM)进行读写时,出现了问题,写是可以写进去的,但读出的内容都是上一个读周期的数据,而下一个读周期读出的是这个读周期读出地数据
即,如果有3个读周期本来理论上读出的是
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但真实的读出为
0
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反正无论怎么样读出地数据都是滞后一个读周期的。
我猜想应该是时序问题,但s1d13505上对时序的设置就两个。
实在是搞不明白,已经一个多星期了,还望用过EDO-RAM的高手指点指点,万分感激!!!!
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