mosfet为金属氧化物场效应晶体管简称,可以做线性放大器件应用,更多工作于开关状态,用于电力电子装置中。开关频率较高,如几百k甚至10M以上。与功率晶体管比无二次击穿,耐过流能力较IGBT佳。IGBT为绝缘栅双极晶体管简称。是仅次于MCT的大功率频率积的双极器件。开关频率略低,典型值30k以下。目前可以到100k。但电流密度可以很大。用语大功率的直-直、逆变场合较多。