氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 是场效应晶体管的一种形式，它在微波频率下工作时结合了高水平的性能和低噪声系数。不过，HEMT 与其他类型的 FET 器件有些不同，它的性能优于标准结或 MOSFET。这些独特的器件在微波射频 （RF） 应用中表现出色。来自 n 型区域的电子穿过晶格，许多电子保持在异质结附近（异质结是指通过两个或多个半导体的接触耦合形成的界面区域）。这种只有一层厚的电子形成二维电子气体。650V GaN HEMT 的开关能量 （Esw） 是在硬开关条
关键字：
GaN HEMT 开关应用 低噪声功率
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD）开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®将智能 ICeGaN HEMT IC 和绝缘栅双极晶体管（IGBT）组合在同一个模块或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，为昂
关键字：
CGD GAN 电动汽车 驱动逆变器
电动汽车 （EV） 越来越受欢迎，因为精明的消费者，尤其是在加利福尼亚州，认识到出色的加速性能的优势，例如，当红绿灯变绿时，汽油动力汽车可能会被尘土甩砸。这是因为电动机在驾驶员踩下油门的那一刻就会产生峰值扭矩。然而，与内燃机 （ICE） 汽车相比，电动汽车的主要动机是能源效率。EV 车载电池充电器EV1 的车载电池充电器 （OBC） 完全能够为来自交流电网的高压牵引电池充电（图 1）。停放的车辆插入 EV 1 级和 2 级交流充电站之一，这些充电站出现在停车场、家庭、公司、购
关键字：
GaN 汽车应用 OBC 高压 DC-DC转换器
了解如何将氮化镓（GaN）功率晶体管技术应用于D类音频放大器，可以提高信号保真度，降低功耗，并提供比硅更轻、更具成本效益的解决方案。在音频工程中，放大器是传递强大、沉浸式声音的核心设备。这些设备将低功率音频信号转换为丰富、高功率的输出，从而驱动从便携式扬声器到专业音响系统的一切设备。在过去十年中出现的各种放大器设计中，有一种脱颖而出：D类放大器。以其高效性和广泛使用而闻名，D类技术主导了现代音频领域。然而，即使是最受欢迎的放大器也有其局限性。当前的D类音频系统虽然效率很高，但在性能上仍面临挑战。D类放大器
关键字：
GaN Betway 体育
氮化镓 （GaN） 功率器件因其超快的开关速度和有限的寄生效应而成为 LiDAR 传感器的核心构建模块之一，从而在高总线电压和窄脉冲宽度下实现高峰值电流。为了迎来自动驾驶汽车的未来，必须在车辆系统内使用更先进的传感器。LiDAR 是检测自动驾驶汽车周围物体存在的更广泛使用的传感器之一，它是光检测和测距的缩写，它从激光射出光并测量场景中的反射，有点像基于光的雷达。车辆的车载计算机可以使用这些数据来解释汽车与周围环境的关系以及道路上是否存在其他汽车和物体。LiDAR 传感器必须基于一个非常快速的开关，该开关为
关键字：
GaN 功率FET 栅极驱动器 LiDAR 传感器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
关键字：
GaN HEMT GaN ROHM
据日媒报道，名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT，合作开发出了一种 800V 兼容逆变器（三相、三电平），主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机（图 1）。据了解，名古屋大学与松下控股、丰田合成、大阪大学和电装合作，参与了日本环境省自 2022 年以来实施的项目“加速实现创新 CO₂ 减排材料的社会实施和传播项目”。新开发的高压三电平逆变器是该项目努力的结果。图1 ：电装横向 GaN HEMT 电驱逆变器（左）、单相降压 DC-DC 转换器运行时的开关波形（右）。提高电动汽车和混合动力电动汽车（
关键字：
日本电装 GaN 三电平 汽车电驱
异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性、多功能特点的现实需求，正在推动不同半导体材料的异质集成研究。为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等
关键字：
复旦大学 Si CMOS GaN 单片异质集成
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
关键字：
GaN HEMT TOLL封装 ROHM
作者Nihit Bajaj 英飞凌科技 GaN产品高级总监校对宋清亮 英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022年全球数据中心耗电量约为240-340太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40%的速度持续增长 [1] 。图1：1910年以来
关键字：
英飞凌 GaN
在科技浪潮的推动下，人形机器人正逐渐从幕后走向台前。在 2025 央视春晚中，著名电影导演张艺谋携手杭州宇树科技、新疆艺术学院带来了一个名为《秧 BOT》的节目。舞台上，宇树科技的人形机器人与新疆艺术学院的舞蹈演员们默契共舞，人机互动的奇妙场景，不仅带来了一场别开生面的视觉盛宴，展现出一种前所未有的科技美感，更让观众真切感受到人形机器人时代的脚步正越来越近。这群 BOT 什么来头？春晚舞台上的《秧 BOT》节目，由 16 个灵动的 BOT（机器人 robot 的简称）与 16 名技艺精湛的新疆艺术学院舞蹈
关键字：
人形机器人 GaN CIS 传感器
大多数人在想象工业应用中的技术时，想到的是大型的机械和复杂的制造流程，这似乎与日常生活毫无关联。然而通过实时控制，系统可以在规定的时间范围内收集、处理数据并自行更新。智能感应可以检测人员和机械，而边缘人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出决策。这些技术涵盖从制造到物流的方方面面。它们就像超人一样，从我们早上起床到晚上睡觉休息的这段时间里，在幕后悄悄地执行着各种各样的任务，让我们的世界正常运转。对我们的日常生活来说，在工业应用中使用的技术与智能手机一样重要且有益。它们为我们节省了时间，增加了便利性；保护我
关键字：
工业技术 智能生活 德州仪器 C2000 GaN
远山半导体在连续推出几款高压GaN器件后，最终将他们最新款产品的额定电压推向1700V，相较于之前的1200V器件又有了显著的提升。为了解决GaN器件常见的电流崩塌问题，他们采用特有的极化超级结（PSJ: Polarization Super Junction）技术，并对工艺进行进一步优化，使器件的额定工作电压和工作电流得到更大的提升（1700V/30A）。本次测试采用远山半导体提供的1700V/100mΩ规格GaN样品,其可以轻松应对1000V输入电压下的开关测试需求，在静态测试条件下，1700V时测得
关键字：
GaN 电流崩塌 功率器件
过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022 年全球数据中心耗电量约为240-340 太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持续增长[1]。图1 1910年以来全球二氧化碳排放量（单位：千兆吨）：总量（上）；按行业划分（下）随着能源消耗的增加，相关的二氧化碳排放量也在2022年达到创纪录的37 千兆吨。为应对这一问题，
关键字：
202412 GaN CoolGaN
/ 编辑推荐 /氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性、两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。引 言作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体
关键字：
英飞凌 GaN SiC 电气工程师
gan介绍
GaN
即氮化镓，属第三代半导体材料。
[
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
必威娱乐平台
杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473