资料介绍
型号：FDS4935BZ-NL&19-VB
丝印：VBA4317
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：SOP8
- 沟道类型：2个P—Channel沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-8.5A
- 开态电阻（RDS(ON)）：21mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
- 阈值电压（Vth）：-1.8V
应用简介：
FDS4935BZ-NL&19-VB是VBsemi推出的一款SOP8封装的双P—Channel沟道功率MOSFET。具有-30V的额定电压和最大-8.5A的电流承受能力，以及在VGS为10V和VGS为12V时的低开态电阻（RDS(ON)）为21mΩ，具备出色的性能特点。阈值电压（Vth）为-1.8V，适用于多种应用场景。
详细参数说明：
1. **封装类型：** SOP8
2. **沟道类型：** 2个P—Channel沟道
3. **额定电压：** -30V
4. **最大电流：** -8.5A
5. **开态电阻（RDS(ON)）：** 21mΩ @ VGS=10V, VGS=12V
6. **阈值电压（Vth）：** -1.8V
应用领域：
FDS4935BZ-NL&19-VB适用于以下领域的模块：
1. **电源逆变器：** 由于其P—Channel沟道类型和适中的额定电压，适用于电源逆变器模块，能够实现有效的电能转换。
2. **电源开关：** 在电源开关模块中，可用于实现电路的切换和控制，具备较低的开态电阻。
3. **汽车电子：** 由于其性能特点，可用于汽车电子领域，如车辆电源管理等。
以上是FDS4935BZ-NL&19-VB的详细参数说明和应用简介，该产品在电源逆变器、电源开关和汽车电子等领域有着广泛的应用潜力。
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