资料介绍
型号: ZXMN6A09KTC-VB
丝印: VBE1638
品牌: VBsemi
参数: TO252；N—Channel沟道, 60V；45A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.8V；
封装: TO252
**详细参数说明:**
- **型号**: ZXMN6A09KTC-VB
- **丝印**: VBE1638
- **品牌**: VBsemi
- **参数**:
- 封装: TO252
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 60V
- 额定电流: 45A
- 开态电阻 (RDS(ON)): 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门源极阈值电压 (Vth): 1.8V
**应用简介:**
该产品是一款多功能的N沟道MOSFET，适用于各种电子应用，并在以下领域模块中表现出色：
1. **电源逆变器:**
由于其适中的额定电压和高电流承载能力，ZXMN6A09KTC-VB适用于电源逆变器，提供可靠的逆变功能。
2. **电机驱动模块:**
适用于电机驱动模块，可用于电机控制和变频驱动系统。
3. **电源管理系统:**
由于其低开态电阻和高电流特性，可用于电源管理系统，提高电能转换的效率。
4. **LED照明驱动:**
适用于LED照明系统，能够提供可靠的功率调节和电源控制。
请注意，上述应用建议仅为参考，具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。
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