- 去年，一场严重的“价格寒流”席卷了整个存储芯片领域，存储芯片市场亦受到了前所未有的冲击。业界巨头三星电子2007年第四季度财务报告显示，由于计算机存储芯片的平均销售价格迅速下滑，该公司的利润下降了6.6%。DRAM生产商尔必达(Elpida)也宣布其销售额下滑了34%，并且第三财季净亏损达1.132亿美元。台湾地区厂商茂德科技也因存储芯片价格下跌和供过于求而宣布亏损。
存储芯片市场阴霾的表现，迫使许多厂商削减生产或推迟了Fab的投产计划。美光(Micron)近期就宣布，将
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三星 DRAM 存储芯片 MRAM PRAM
- 磁阻式随机存储器（MRAM）将优于快闪记忆体（Flash闪存）？飞思卡尔半导体正试图证明这一点。
根据消息，飞思卡尔半导体（前摩托罗拉公司芯片部门）周一宣布，它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司，侧重于研发制造MRAM（磁阻式随机存储器），其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。
MRAM与快闪记忆体不同，它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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- 相变内存(Phase Change Memory，PCM)是近年来内存业界热门研发主题之一，针对此一新式内存技术发展趋势与厂商专利现况，工研院IEK-ITIS计划发表最新研究报告指出，台湾地区已有不少厂商投入该技术的研发，相较于FeRAM与MRAM，在PCM领域发展机会较大。 工研院IEK-ITIS计划分析师陈俊儒表示，相变化材料在1970年代开始有重量级的公司投入研究资源，但受限于当时半导体工艺技术，相变化材料在2000年以前的商业应用还是以光盘片为主
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消费电子 内存 研发 MRAM 存储器 消费电子
- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反，它们是合成的反铁磁体(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治结构，由两个反向对准的铁磁材料层以及两层材料之间所夹的一层非磁性材料耦合隔层而组成。图2示出了一个SAF位单元。SAF三明治结构产生磁致电阻效应的能力并不会因为它的混合式结构而受到影响。对准和反对准只取决于MTJ结构两侧相对的两层材料。将两层板材组成SAF，就可以让每层板变成“磁矩平衡”—净外磁场为零
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- 摘要： Freescale运用自旋电子技术制作了新的非易失性RAM，本文对此进行了详细介绍。关键词： MRAM；自旋电子；位线；字线
在半导体业界，微处理器是一种更有魅力，利润更高，而且更难以设计的产品，而内存芯片在推动半导体技术向前发展的过程中则会起到关键性的作用。Intel早期的成功，来源于其1970年推出的、当时业界第一款DRAM芯片，1kb的1103。两年后，1103成为业界销售情况最好的内存芯片，在很多新的系统设计中取代了磁芯存储器。DRAM在过去的岁月中成为半导体技术发展
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