- TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于 SiC 的 800V、300kW 牵引逆变器系统参考设计，该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术（包括用于驱动 Wolfspeed SiC 电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器）如何通过降低电压过冲来提高系统效率。隔离式栅极驱动器与 TI 的隔离式辅助电源解决方案配合使用
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SiC 牵引逆变器
- 随着设备变得越来越小，电源也需要跟上步伐。因此，当今的设计人员有一个优先目标：化单位体积的功率（W/mm 3）。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性，并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作，但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗，同时限度地延长系统正常运行时间。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱
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SiC
- 合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数，还可以添加更多参数。合适的设备概念应允许一定的设计自由度，以便适应各种任务概况的需求，而无需对处理和布局进行重大改变。然而，关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻，与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数，还可以添加更多参数。图 1：必须与 SiC MOSF
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MOSFET
- “能够优先掌握SiC这种领先技术的国家，将能够改变游戏规则，拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金（NSF）获得了1787万美元的资助，用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育，以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的，此外其部署的SiC晶圆生产线，能够让美国大学，企业以及政府研究人员进行长期
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SiC MOSFET 功率损耗 碳中和
- 欧洲是世界半导体的重要一极，ST（意法半导体）、英飞凌、恩智浦（NXP）被称为欧洲半导体的三驾马车，也是全球知名的半导体巨头。ST的特点是不像欧洲其他两家巨头——英飞凌和恩智浦出身名门1、自带一定的应用市场，ST要靠自己找市场、摸爬滚打，以解决生存和发展问题。据市场研究机构Garnter数据，ST 2022年营收158.4亿美元，年增长率为25.6%，是欧洲最大、世界第11大半导体公司。大浪淘沙、洗牌无数的半导体行业，ST是如何显露出真金本色，成为欧洲乃至世界半导体巨头的？又是如何布局未来的？表1 202
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意法半导体 MCU SiC
- 【2023年7月27日，德国慕尼黑讯】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（PLC）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器
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英飞凌 高压超结 MOSFET
- 在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT虽然可以在高压下使用，但其 "拖尾电流 "和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性
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安森美 MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM AC适配器 GaN HEMT Si MOSFET
- 汽车的智能化和电动化趋势，势必带动车用半导体的价值量提升，其中功率半导体和模拟芯片便迎来了发展良机。先看功率半导体，车规功率半导体是新能源汽车的重要组件，无论整车企业还是功率半导体企业都在瞄准这一赛道。新能源汽车电池动力模块都需要功率半导体，混合动力汽车的功率器件占比增至 40%，纯电动汽车的功率器件占比增至 55%。再看车规模拟芯片，模拟芯片在汽车各个部分均有应用，包括车身、仪表、底盘、动力总成及 ADAS，主要分为信号链芯片与电源管理芯片两大板块。如今，新能源汽车在充电桩、电池管理、车载充电、动力系统
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功率半导体 SiC GaN 模拟芯片
- 英飞凌在近日表示，与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要用于逆变器的功率模块，而逆变器用于电动汽车的主驱动。根据协议，赛米控丹佛斯的IGBT和二极管将由英飞凌在德国德累斯顿和马来西亚居林的工厂生产。IGBT依然紧缺根据供应链消息显示，目前IGBT缺货基本在39周以上，供需缺口已经拉长到50%以上，市场部分料号供货周期还是维持在52周。作为行业龙头的英飞凌，其去年IGBT订单已处于超负荷接单状态，整体积压订单金额超过
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英飞凌 赛米控 电动汽车芯片 SiC IGBT
- 全球车用SiC功率组件市场，目前主要由IDM大厂独霸，根据统计，全球SiC产能由Wolfspeed、罗姆、贰陆三家公司寡占。其中，罗姆计划在2025年，将SiC功率半导体的营收扩大至1,000亿日圆以上，成为全球市占龙头。为了达成目标，该公司积极扩充SiC功率半导体的产能，并宣布买下日本一家太阳能系统厂的旧工厂，未来将引进SiC功率半导体8吋晶圆产线到工厂内，预计在2024年底启动，将使罗姆的SiC功率半导体产能，到2030年增加为2021年的35倍。根据日本朝日新闻、日经新闻等报导，罗姆将从日本的石油公
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罗姆 SiC
- 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在衬底和外延的概况，同时也分享了安森美在器件开发的一些特点和进展。到这里大家对于SiC的产业链已经有一定的了解了。也就是从衬底到芯片，对于一个SiC功率器件来说只是完成了一半的工作，还有剩下一半就是这次我们要分享的封装。好的封装才能把SiC的性能发挥出来，这次我们会从AQG324这个测试标准的角度来看芯片和封装的开发与验证。图一是SSDC模块的剖面示意图，图二是整个SSDC模块的结构图，从图一和图二我们可以发现这个用在主驱的功率模块还是比较复杂的，里面包含了许
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SiC Traction模块 安森美 202311
- 功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零
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MOSFET MOS
- 自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。最常见的充电方法是在家充一整夜或白天到工作场所充电。这两种情况对电动汽车的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅电源插座可能无法在一整夜后就为电动汽车充满电。工作场所提供的可能是中等功率的交流充电桩，如果汽车配备的是较低功率的车载充电器 (OBC)，那么充电桩使用时间可能会成为
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安森美 MOSFET 车载充电器
- 自电动汽车 (EV) 在汽车市场站稳脚跟以来，电动汽车制造商一直在追求更高功率的传动系统、更大的电池容量和更短的充电时间。为满足客户需求和延长行驶里程，电动汽车制造商不断增加车辆的电池容量。然而，电池越大，意味着充电的时间就越长。最常见的充电方法是在家充一整夜或白天到工作场所充电。这两种情况对电动汽车的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅电源插座可能无法在一整夜后就为电动汽车充满电。工作场所提供的可能是中等功率的交流充电桩，如果汽车配备的是较低功率的车载充电器 (OBC)，那么充电桩使用时间可能会成为
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安森美 onsemi MOSFET 车载充电器 800V电池架构
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