英飞凌在近日表示，与赛米控丹佛斯签署了一份多年批量供应硅基电动汽车芯片的协议。英飞凌将为赛米控丹佛斯供应由IGBT和二极管组成的芯片组。这些芯片主要用于逆变器的功率模块，而逆变器用于电动汽车的主驱动。根据协议，赛米控丹佛斯的IGBT和二极管将由英飞凌在德国德累斯顿和马来西亚居林的工厂生产。IGBT依然紧缺根据供应链消息显示，目前IGBT缺货基本在39周以上，供需缺口已经拉长到50%以上，市场部分料号供货周期还是维持在52周。作为行业龙头的英飞凌，其去年IGBT订单已处于超负荷接单状态，整体积压订单金额超过
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英飞凌 赛米控 电动汽车芯片 SiC IGBT
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT单管数据手册参数解析——上》中，我们介绍了IGBT的命名、最大额定值及静态参数。今天我们介绍动态特性、开关特性及其它参数。4.动态特性● 输入电容，输出电容和反向传输电容Cies，Coes和Cres输入电容Cies，是Cres同CGE之和，是设计驱动的一个关键参数。它在每个开关周期进行充电和放电，它定
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英飞凌 IGBT
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽禁带半导体的应用日益增多，受到广泛关注。然而，在这些新技术出现之前，许多高功率应用都是使用高效、可靠的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)，事实上，许多此类应用仍然适合继续使用 IGBT。在本文中，我们介绍 IGBT 器件的结构和运行，并列举多种不同 IGBT 应用的电路拓扑结构，然后探讨这种多用途可靠技术的新兴拓扑结构。IGBT 器件结构简而言之，IGBT 是由 4 个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (MOS
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安森美 IGBT
根据 IGBT 的产品分类来看，按照其封装形式的不同，可分为 IGBT 分立器件、IPM 模块和 IGBT 模块。IGBT 分立器件主要应用在小功率的家用电器、分布式光伏逆变器；IPM 模块应用于变频空调、变频洗衣机等白色家电产品；而 IGBT 模块应用于大功率变频器、新能源车、集中式光伏等领域。根据工作环境的电压不同，IGBT 可以分为低压（600V 以下）、中压（600V－1200V）、高压（1700V－6500V）。一般低压 IGBT 常用于变频白色家电、新能源汽车零部件等领域；中压 IGBT 常用
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IGBT
为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。
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IGBT 电源 NXP
IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。图 1. IGBT的等效电路图 2. IGBT的导通电流为了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动为高电平时，会存在一个从双
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安森美 IGBT 栅极驱动
绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件，主要用作电子开关，在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用，如开关电源、牵引电机控制和感应加热。图1. IGBT 电路图符号01 IGBT特点IGBT具有栅极、集电极、发射极3个引脚。栅极与MOSF
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DigiKey IGBT
英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7系列单管具有两种电压等级（650V&1200V）和三个系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列单管针对光储、UPS、EV charger、焊机等应用进行了专门的优化，并配备了全电流EC7 rapid二极管。凭借极低的开关损耗、导通损耗和丰富的产品系列，H7单管正在成为光伏和储能应用的新星。产品特点● 按照应用需求去定义产品，去掉短路能力从而获得更低的开关损耗和导通损耗，如图1所示。完美适配于不需要短路能力的光储等应用。● 1200V
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英飞凌 IGBT
针对所有的应用，人们越来越注意电动马达的运作效率；因此，对高效率驱动器的需求变得日益重要。此外，使用马达驱动的设计，例如电动马达、泵和风扇，需要降低整体成本，且需要减低这些电动马达应用中的能耗；因此，为电动马达及其的驱动指定高效率的设计，以适合每项特定应用变得更加重要。面对今日要求更高的电压或更高的电流以及更低频率的电动马达驱动应用，广为人知且被广泛使用的开关组件解决方案绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 即是一项绝佳的选择。因为多数马达在较低频率运作，要求可靠的安全工作区（SOA）和短路额定值，且需要将效率
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Bourns 电动马达 IGBT
2020 年初，疫情期间的封锁政策并未对电动汽车行业造成太大影响。2021 年，由于疫情期间人们对电动汽车的需求上升，再加上全球各国政府纷纷采取激励措施，电动汽车充电站的需求量开始增加。在过去的三年里，电动车领导品牌的销量纷纷呈现巨幅成长的趋势。 低成本、低排放汽车的不断发展，将推动整个亚太地区的电动汽车市场实现稳步扩张。同时，不断加码的政府激励措施和持续扩张的高性能车市场也推动着北美和欧洲地区电动汽车市场的快速增长。因此，根据MarketsandMarkets 市调数据估计，全球电动汽车市场规模将从 2
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车用 电能转换 车电领域 IGBT SiC 功率模块
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用，采用隔离降压拓扑结构，需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少，并且不需要光耦合器，从而节省了物料清单成本和 PCB面积。 L6983i 的其他优势包括 2µA 关断电流，集成软启动时间可调、内部环路补偿、电源正常指示，以及过流保护、热关断等保护功能。扩
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意法半导体 隔离式降压转换器 功率转换 IGBT SiC GaN 晶体管栅极驱动
IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装。1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。从上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金属散热板（
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IGBT
随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加，汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品，竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动，传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组，成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势，因为使用更高的电压意味着系统可以在更低的电流下运行，同时实现相同的功率输出。较低电流的优点是损耗较低，需要管理的热耗散较少，还有利于使
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安森美 IGBT SiC
德国纽伦堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内的碳化硅(SiC)衍生模块。SCALE-iFlex LT NTC驱动器可提供负温度系数
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Power Integrations IGBT SiC模块 门极驱动器
紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数(PF)。特别是空调，其额定功率为1.8kW或更大，是最耗电的设备之一。在这里，功率因数校正(PFC)是强制性的，对于PFC，设计者认为IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是具有最高性价比的开关器件。紧凑的尺寸和不断降低的系统成本是电力电子设计的开发者一直追求的目标。现在，由于家用电器消耗的能量不断增加，从事此类应用的工程师还有一个目标：保持高功率因数(PF)
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快速开关 IGBT
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