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NAND Flash供货吃紧态势明显 价格走扬
- 第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显,TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬。 TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示,第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显,TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬,而近一个月涨幅开始增加。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示,NAND Flash原厂持续降低对于通路(Channel)的供货比重来满足eMMC/eMCP与固态硬碟(SS
- 关键字: NAND Flash
下半年NAND Flash一定缺货,且会非常缺
- 全球储存型快闪记忆体(NAND Flash)晶片最大供应商慧荣科技总经理苟嘉章昨(21)日表示,固态硬碟(SSD)价格已到甜蜜点,今年出货将大爆发,成为成长最强劲的记忆体产品;法人预估台厂概念股群联、创见、威刚、宇瞻、广颖、宜鼎等,可望掀比价效应。 慧荣是以台湾为研发重心,立足全球的国际公司,上周五(20日)股价以每股42.19美元创2005年6月在美国那斯达克挂牌以来新高,市值达1.48亿美元(约新台币48.5亿元),同创历史新高。 苟嘉章昨天主持慧荣爱心园游会后,针对今年NAND Fl
- 关键字: NAND Flash
手机标称16G内存,为何实际却少于16G
- 摘要:现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢? 我们总是在说手机内存,那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后,为满足不断增大的系统文件而诞生的,是NAND Flash的升级版,他的结构如下: 我们接触到的16G、32G等手机,为何实际存储容量却总是小于这些值呢?难道
- 关键字: NAND FLASH eMMC
中国下个购并标的:NAND Flash控制芯片
- 中国政府近来积极透过中资集团陆续收购或入资海外半导体公司,期建立自有半导体供应链。现阶段,逻辑晶片从设计、制造到封装测试皆已具雏型,反观记忆体领域则为主要发展缺口。资策会MIC认为,中资集团下一波购并目标将锁定NAND Flash控制晶片业者,并设法取得大规模制造产能,以补强记忆体产业发展。 资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖表示,中国近期积极透过购并,来改善半导体自制比例过低的情形,现今中国在本土逻辑IC设计、晶圆代工、逻辑IC封测等产业链上,已有一定程度的发展,上述领域皆具有本土厂商或已与外商
- 关键字: NAND Flash 芯片
TrendForce:经济前景未明,2016年全球NAND Flash产值增长有限
- 全球经济依旧前景不明,各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守,TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示,由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长,2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%,然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发,整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示,2016年NAND Fl
- 关键字: NAND Flash TLC
掌握ECC/坏区块管理眉角 NAND Flash嵌入式应用效能增
- NAND Flash记忆体在出厂时是允许部分晶片含有坏区块,或者好的区块中含有一些错误位元,因此在实际应用时,须搭配使用控制器,透过硬体与软体进行坏区块管理,以及利用错误更正编码(ECC)演算法修正错误位元,方能提升嵌入式系统储存效能。 NAND型快闪记忆体(NAND Flash) IC的技术演进快速,平均每1∼2年就前进一个制程世代来降低成本,在售价大幅下降情况下,愈来愈多嵌入式系统,例如:蓝光播放器、电视、数位相机、印表机等应用均采用NAND低成本的优势,取代原本使用的NOR型快闪记
- 关键字: NAND Flash
中国NAND Flash产业链的布局日趋完整
- 研究机构TrendForce表示,随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快,以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整,中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。 TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局,但长远来看,NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高,NAND Flash成为未来储存
- 关键字: NAND Flash SSD
flash介绍
闪存(Flash ROM):
是一种电擦除非易失型存储器,由浮栅型场效应管构成,写入时,利用热电子注入,使浮栅带电;擦除时,则利用高压下的隧道效应,使浮栅失去电子。
FLASH闪存是半导体技术,内部是相对静态的,体积小,抗震性很高(便于携带)。加上半导体技术发展很快,价格下降也很快,这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。
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