伴随存储芯片价格筑底，关于半导体周期拐点将临近的讨论越来越热。
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存储芯片 DRAM
5月18日，杭州地芯科技有限公司（以下简称：地芯科技）在上海发布了全球首款基于CMOS工艺的支持4G的线性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多频功率放大器模块（MMMB PAM），它应用于3G/4G手持设备（包括手机及其他手持移动终端）以及Cat1.物联网设备，支持的多频段多制式应用。本模块还支持可编程MIPI控制。图片来源：地芯科技CMOS工艺是集成电路中最为广泛使用的工艺技术，具有高集成度、低成本、漏电流低、导热性好、设计灵活等特性，但也存在击穿电压低、线性度差两大先天性
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地芯科技 CMOS 多频多模 线性PA
今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5 DRAM已开始量产。三星本次应用的前沿制造工艺，再次奠定了其在尖端DRAM技术方面的优势。"采用差异化的工艺技术，三星业内先进的12 纳米级DDR5
DRAM具备出色的性能和能效，"三星电子内存产品与技术执行副总裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我们持续开拓DRAM市场的决心。这不仅意味着我们为满足计算市场对大规模数据处理的需求，提供高性能和高容量的产品，而且还将通过商业化的下一代
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布开发 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大规模量产 12 纳米工艺的 DDR5 DRAM。存储芯片行业当前正处于低谷期，三星通过量产 12nm 的 DRAM，希望进一步巩固其在该领域的领先地位。IT之家从三星新闻稿中获悉，与上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圆生产率提高了 20%，这意味着芯片尺寸比上一代更小，单个晶圆可以多生产 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗将使服务器和数据中
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三星 DDR5 DRAM
三星电子今日宣布，研发出其首款支持Compute Express Link™（CXL™）2.0的128GB DRAM。同时，三星与英特尔密切合作，在英特尔®至强®平台上取得了具有里程碑意义的进展。继2022年五月，三星电子研发出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（内存扩展器）后，又继续推出支持CXL 2.0的128GB
CXL DRAM，预计将加速下一代存储解决方案的商用化。该解决方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高达每秒35GB的带宽。可扩展内存（Memory Expander）“作
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三星电子 CXL 2.0 CXL DRAM
集邦咨询预估第二季度 DDR5 Server DRAM（服务器内存）价格跌幅将收敛，由原预估 15%-20% 收敛至 13%-18%。
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DDR5 DRAM
在前面的芝识课堂中，我们跟大家简单介绍了逻辑IC的基本知识和分类，并且特别提到CMOS逻辑IC因为成本、系统复杂度和功耗的平衡性很好，因此得到了最广泛应用，同时也和大家一起详细了解了CMOS逻辑IC的基本操作。逻辑IC作为一种对一个或多个数字输入信号执行基本逻辑运算以产生数字输出信号的半导体器件，其应用也是非常丰富的，今天就来和芝子一起了解一下吧。首先我们要明确的是CMOS逻辑IC大致包括两种逻辑，即组合逻辑和时序逻辑。其中组合逻辑是输出仅为当前输入的纯函数逻辑电路类型，主要包括反相器、缓冲器、双向总线缓
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东芝 CMOS
IT之家 4 月 23 日消息，据博主 @数码闲聊站 和 @Ice universe 爆料，苹果今年将推出的 iPhone 15 Pro Max 手机将采用索尼最新的 4800 万像素定制摄像头，比去年的 iPhone 14 Pro Max 的摄像头传感器尺寸更大。去年，苹果在 iPhone 14 Pro 和 iPhone 14 Pro Max 上首次使用了 4800 万像素的摄像头，这是苹果在相机硬件上的一个巨大飞
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索尼 CMOS iphone
2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。SK海力士强调“公司继去年6月全球首次量产HBM3 DRAM后，又成功开发出容量提升50%的24GB套装产品。”,“最近随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，公司将从今年下半年起将其推向市场，以满足
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SK海力士 堆叠HBM3 DRAM
据媒体报道，尽管消费性电子应用需求复苏缓慢，但华邦电总经理陈沛铭指出，第二季与客户洽谈合约价格已看到止稳迹象。华邦电是一家利基型存储器IC设计、制造与销售公司，其产品包括利基型存储器（Specialty DRAM）、行动存储器（Mobile DRAM）以及编码型闪存（Code Storage Flash Memory）。存储器产品主要以DRAM、NAND Flash为主。从产品价格上看，在NAND
Flash方面，此前据TrendForce集邦咨询3月30日调查指出，即便原厂持续进行减产，然需求端如服
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利基型 DRAM
图像传感器是数字成像系统的主要组成部分之一，对整体系统性能有很大影响。图像传感器的两种主要类型是电荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中，我们将了解 CMOS 图像传感器的基础知识。图像传感器是数字成像系统的主要组成部分之一，对整体系统性能有很大影响。图像传感器的两种主要类型是电荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中，我们将了解 CMOS 图像传感器的基础知识。查看我们的电荷耦合器件 (CCD) 图像传感器系列。您可以从CCD 的结构和功能入手。CMOS 光电探测器大多数
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CMOS，图像传感器
TrendForce集邦咨询表示，由于部分供应商如美光（Micron）、SK海力士（SK
hynix）已经启动DRAM减产，相较第一季DRAM均价跌幅近20%，预估第二季跌幅会收敛至10~15%。不过，由于2023下半年需求复苏状况仍不明确，DRAM均价下行周期尚不见终止，在目前原厂库存水位仍高的情况下，除非有更大规模的减产发生，后续合约价才有可能反转。PC DRAM方面，由于买方已连续三季大减采购量，目前买方的PC DRAM库存约9~13周，而PC
DRAM原厂已进行减产，TrendForce集
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DRAM 止跌 TrendForce
cmos.dram介绍
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