- 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管(SPAD)器件组合。与2021年发布的前一代SPAD保持同步,新版本也是基于X-FAB 180纳米工艺的XH018平台。得益于在制造过程中增加的额外工艺流程,在保持同样低的本底噪声水平的同时,显著增强信号,而且不会对暗计数率、后脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。X-FAB通过推出这一最新版本的产品,成功丰富了其SPAD产品的选择范围,提升了解决众多视近红外
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X-FAB 近红外 SPAD
- 位于荷兰奈梅亨ITEC的ADAT3 XF Tagliner刷新了业内嵌体贴片机的最高速度和最高精度贴装记录。 该贴片机每小时可贴装48,000颗产品,而位置精度和旋转精度优于9微米和0.67°,在1 Σ ,相较其他贴片设备速度快3倍,精度高30%。 ITEC产品管理总监Martijn Zwegers表示:“该贴片机已在多个主要客户的工厂內高效地运作,我们已准备好在全球进行商业发布和推广。 ”ADAT3 XF Tagliner已实现全自动化,而良率亦超99.5%。 其总拥有成本(TCOO)远低于业界同类设备
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ITEC RFID 嵌体贴片机
- ● TMF8821可输出多个点距离值,具有避障、防跌落和辅助建图功能;● TMF8821卓越的测距性能与出色的抗阳光干扰能力,能够在各种光照环境下实现可靠检测;● TMF8821产线校准方式简单,只需一次底噪校准就可完成;● 立功科技提供算法技术支持,优化功能效果。EBO X智能机器人全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗近日宣布,通过与立功科技合作,携手家庭机器人供应商Enabot成功推出AI智能陪伴机器人
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艾迈斯欧司朗 立功科技 Enabot 智能机器人 EBO X 家庭陪伴
- 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后,现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。这是X-FAB对半导体制造工艺上的又一重大突破。这一集成方法使隔离产品的设计更加灵活,从而应对可再生能源、EV动力系统、工厂自动化和工业电源领域的新兴机遇。XA035基于350纳米工艺节点,非常适合制造车用传感器和高压工
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X-FAB 电隔离解决方案
- IT之家 10 月 25 日消息,2023 的高通峰会现在正式开始,高通推出的第一款产品就是为 PC 产品设计的全新骁龙 X 平台,其旗舰产品命名为“骁龙 X Elite”。骁龙 X Elite 采用定制 Oryon CPU,基于 4nm 工艺打造,采用 12 颗 3.8GHz 大核,支持双核睿频至 4.3GHz,内存带宽 136GB/s,缓存总数 42MB。IT之家汇总骁龙 X Elite 规格如下:规格CPUQualcomm Oryon CPU,64 位架构,12 核,最高 3.8 GHz,
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高通 骁龙 X
- 在人工智能(AI)、机器学习(ML)和数据挖掘的狂潮中,我们对数据处理的渴求呈现出前所未有的指数级增长。面对这种前景,内存带宽成了数字时代的关键“动脉”。其中,以双倍数据传输速率和更高的带宽而闻名的 DDR(Double Data Rate)技术作为动态随机存取存储器(DRAM)的重要演进,极大地推动了计算机性能的提升。从 2000 年第一代 DDR 技术诞生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技术在带宽、性能和功耗等各个方面都实现了显著的进步。如今,无论是 PC、笔电还是人工智能,各行业正在加
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DDR5 Cadence Sigrity X
- 为了提高协作和流程的效率,实现实时信息的准确获取,增强决策能力,甚至改善患者治疗效果,医疗业不断加大数字孪生技术的占比,以收集、跟踪和分析有关医疗设备、药品和实验室样本等物理对象的数据。虚拟的复制品输液泵、定量吸入器及要在实验室分析的血液样本等真实对象的数字孪生是指它们的电子表示形式。数字孪生存在于虚拟空间,与其物理对应物对应。在物理对象的生命周期内,其位置、状态和其他关键数据的变化会同步到数字孪生中,便于实时参考和共享。迅速增长的趋势能够访问和共享医疗对象的最新信息,对于制造业、供应链、医疗机构和患者都
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RFID NFC 数字孪生 医疗业
- 输液泵、定量吸入器及要在实验室分析的血液样本等真实对象的数字孪生是指它们的电子表示形式。数字孪生存在于虚拟空间,与其物理对应物对应。在物理对象的生命周期内,其位置、状态和其他关键数据的变化会同步到数字孪生中,便于实时参考和共享。迅速增长的数据孪生能够访问和共享医疗对象的最新信息,对于制造业、供应链、医疗机构和患者都有实际的好处。在制造业和供应链中,数字孪生可提高日常运营的效率,包括自动数据收集、跟踪和追溯、库存状况更新、产品身份验证和分析。同时,数字孪生也可与其他医疗系统共享信息,以支持重要计划,如临床试
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共享医疗 数字孪生 RFID NFC
- 据华为官方微信号10月11日消息,2023全球移动宽带论坛(Global MBB Forum 2022)期间,华为董事、ICT产品与解决方案总裁杨超斌重磅发布了全新一代5G室内数字化产品解决方案LampSite X系列,助力运营商打开商业新空间,加快迈向数智化新时代。杨超斌表示:“LampSite X将5G-A极致能力首次带入室内场景,实现室内数字化全面升级:以最小体积、最轻重量、最简部署、最低能耗实现万兆体验和多维能力升级,满足消费者更极致的室内体验需求,释放千行百业更强大的数字生产力。”华为无线网络产
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华为 5G LampSite X
- 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,新增集成无源器件(IPD)制造能力,进一步增强其在射频(RF)领域的广泛实力。公司在欧洲微波展(9月17至22日,柏林)举办前夕推出XIPD工艺;参加此次活动的人员可与X-FAB技术人员(位于438C展位)就这一创新进行交流。X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层,让客户能够在其器
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X-FAB 无源器件 晶圆代工厂
- 每年有数百亿个RAIN RFID标签穿梭于价值链,识别跟踪各类物品。在大多数情况下,只需少量的存储空间便可以存储产品和标签ID,从而区分各个物品,并报告物品在系统中的位置和/或状态。那么,为什么某些RAIN RFID标签提供额外的存储空间呢?因为在某些情况下,特别是在供应链和工业物联网中(IoT),即使一点点额外的存储空间也会带来很大的影响。除了产品和标签ID外,扩展存储器标签可以存储其他信息,有助于提升效率、提高自动化水平并降低运营成本。 什么是扩展存储器标签?提供扩展存储器的RAIN RFI
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UCODE 标签 存储器 RFID NXP
- 生物识别技术是一种新兴的身份识别技术。生物识别是指基于生物特征(如指纹、虹膜、面部识别等)对人进行自动识别。本文提出了基于指纹的考勤系统。教育机构和工业部门的考勤需要更多的纸张工作和时间。为了减少这种情况,开发了使用指纹的自动考勤系统。我们也称之为生物识别考勤系统。我们已经了解了如何使用AVR微控制器开发基于RFID的考勤系统。下面,我们将介绍如何使用AVR单片机设计生物识别考勤系统电路。生物识别考勤系统电路原理:该电路的主要目的是考勤并在需要时显示。指纹识别是基于这样一个事实,即世界上没有两个人的指纹是
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指纹 虹膜 RFID AVR单片机
- 6月19日消息,作为季度末促销活动的一部分,特斯拉再次对某些库存车型提供折扣,以寻求在第二季度结束前提振销量。随着季度末的临近,特斯拉希望通过减少库存来实现更好的财务业绩。为了实现这一目标,特斯拉会定期实施特殊折扣或激励措施,以便在季度末之前清空库存车辆。据外媒报道,特斯拉近日将Model X和Model S的售价都下调了8000美元,并为6月30日之前购车的客户提供三年免费超级充电服务。特斯拉官网显示,这些举措意味着,客户现在可以8.3万美元左右的价格买到2023年款特斯拉Model S,折扣金额为75
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特斯拉 Model S/X 充电
- 中国北京,2023年6月15日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,正在开展photonixFAB项目---该项目旨在为中小企业和大型实体机构在光电子领域的创新赋能,使其能够轻松获得具有磷化铟(InP)和铌酸锂(LNO)异质集成能力的低损耗氮化硅(SiN)与绝缘体上硅(SOI)光电子平台。在此过程中,模拟/混合信号晶圆代工领域的先进厂商X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)牵头发起一项战略倡议,旨在推
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X-FAB 硅光电子 PhotonixFab 光电子
- 中国北京,2023年6月2日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂,由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起,因此与传统Bulk BCD工艺相比,高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB 110纳米 BCD-on-SOI
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