MAX8560/MAX8561/MAX8562降压型DC-DC转换器专为那些优先考虑小尺寸和高效率的应用优化设计。它们利用专有的滞回PWM控制方案，允许用户在效率和尺寸间取得最佳平衡。输出电流保证可达500mA，同时静态电流仅40µA (典型)。内部同步整流大大提高了效率，并省去了常规降压型转换器中所必需的外部肖特基二极管。内部的软启动功能限制了浪涌电流，降低了对输入电容的要求。独特的快速电压定位瞬态响应降低了对输出电容的要求。MAX8561具有逻辑控制的输出电压；MAX8562可驱动外部旁路
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Maxim 封装
MAX1574充电泵型白光LED电源可提供恒定的驱动电流从而获得一致的发光亮度。采用自适应的1x/2x充电泵电路，在单节锂电池的电压范围内，具有180mA 的驱动能力和很高的效率。固定的开关频率(1MHz)允许采用微型的外部器件，而且整个电路都经过了优化确保极低的EMI 噪声和输入纹波。MAX1574 使用外部电阻来设置LED 的最大驱动电流，使能端用来做电路的关断/导通控制，同时也可以通过重复地输入脉冲信号来调整驱动电流直到 5%的最大值。一旦合适亮度设置好，MAX1574 就会保持恒定的驱动电流。MA
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Maxim 封装
凌特公司（Linear Technology）推出 LT3436，这是一款 3A、800kHz 的升压型 DC/DC 转换器，采用了散热增强型的 16 引脚 TSSOP 封装。该产品 3V 到 25V 的宽输入电压范围能够用单节锂离子电池至固定 24V 输入轨运行，输出电压高达 35V。其恒定 800kHz 开关频率（可从 1 MHz 到 1.4MHz 同步）使设计师能够使噪声敏感的电路不受开关噪声影响，并可以采用微型的电容器与电感器。LT3436 的高效率转换与散热增强型封装能在非常紧凑的空间内提供大电
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凌特公司 封装
功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 展开新一阶段的"无铅封装"产品转换计划，有关程序可望于明年完成。 IR中国及香港销售总监严国富表示：“作为一家领先的功率管理器件制造商，我们的产品有助提升用电效率，又能为不同应用系统缔造更高性能，如汽车、家电以至各类电子设备。与此同时，我们为地球节省了宝贵的天然资源，在省去器件封装内的含铅成分方面，进一步实践保护环境的承诺。”为此，IR正与业界联盟及其客户共同合作，开发一系列无铅解决方案。去年初，IR作出了多
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国际整流器公司 封装
凌特公司（Linear Technology）宣布推出高效快速照相闪光灯电容充电器 LT3468。LT3468 是一个独立的解决方案，用于照相闪光灯电容充电，所需线路板面积最小，无需软件开发。LT3468 能迅速有效地给高压（一般为 320 V）照相闪光灯电容充电。这个器件既可用于数字相机，也可用于胶片相机，采用限流回扫拓扑结构。它可用 3.6V 电池在 4.6 秒内将一个 100uF 电容充到 320V。LT3468 具有受控的 1.4A 峰值电流，与标准回扫变压器配合使用，能以高于 80% 的效率对任
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凌特公司 封装
凌特公司（Linear Technology）宣布推出采用纤巧 6 引线 ThinSOT™（SOT-23）封装的四路电源监视器 LTC2903-1，它在 VCC 低至 500mV 时仍保证提供有效的 RESET# 信号。与传统电源监视器的 1V 电平相比，用低至 500mV 的电源电压保持 RESET# 输出为低可降低触发外部逻辑电路或低电压处理器的风险。LTC2903-1 以严格的 ±1.5% 电压门限准确度提供 10% 欠压监视，这样的准确度能保证可靠的复位操作而不会出现假触发。LTC29
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凌特公司 封装
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) 今日在公布其借助无铅封装提供对环境友好的产品的计划时宣布，该公司众多功率半导体的很多类型都将采用无铅封装或无铅涂层进行生产。由东芝公司 (Toshiba Corp.) 生产的各种系列的功率设备中包含高功率的 IGBT 模块和采用压力包装 (pressure packs) 的产品以及各种中等功率的设备（包括 MOSFET、双极晶体管、肖特基势垒二极管、智能型功率模块、硅控整流器与三端双向可控硅开关以及其他多
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东芝 封装
凌特公司（Linear Technology）推出一个采用 ThinSOTTM（SOT-23）封装的降压型 DC/DC 控制器 LTC3801。该产品专为延长电池使用寿命而设计，可将待机电流消耗降至仅为 16uA。LTC3801 在正常工作、轻负载时的突发模式（Burst Mode
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凌特公司 封装
凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4059 微型单节锂离子电池线性充电器，它无需使用 3 个分立功率组件，在不使系统温度过高的情况下提高充电速度，并检测和报告充电电流值。此外，该产品采用最小的封装，但却没有影响热性能。整个解决方案仅需要两个分立组件（输入电容器与充电电流设置电阻器），而且只占用 2.5mm x 2.7mm 面积。LTC4059 的 2mm x 2mm DFN 封装占位面积比 SOT-23 封装的一半还小，提供 600C/W 的更低热阻以改善散热功能。通过正确的 PC
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凌特公司 封装
凌特公司（Linear Technology）推出一个 1.3MHz 升压型 DC/DC 转换器 LT3467，它兼有 42V、1.1A 内部开关和软启动功能。LT3467 采用恒定频率电流模式架构，在 2.4V 到 16V 输入电压范围内工作，从而使它成为单节锂离子电池、5V 或 12V 应用的理想选择。它内部的 42V 开关非常适合输出高达 40V 的升压型转换器以及 SEPIC 和返激式设计。通过一个集成的可编程软启动功能消除了大浪涌电流，而 1.3MHz 的恒定开关频率实现了低噪声工作。Thin
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凌特公司 封装
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP（倒装引脚铸模封装）中结合了飞兆半导体的高性能 PowerTrench
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飞兆半导体公司 封装
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，其硅锗（SiGe）Gigacomm™系列的所有集成电路现在均可提供16引脚无引线四方扁平（QFN）封装，进一步拓展了该公司在高速数据与时钟管理元件市场的地位。这种封装与其他工业等级温度范围内的封装相比，节省电路板空间，同时大幅提高了热性能。采用QFN封装的Gigacomm™器件目前额定温度范围为-40° C to +85° C，尺寸为3 mm x 3 mm，比倒装球栅阵列（FCBGA）封装减少44%。QFN封装 采用QFN封装的G
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安森美 封装
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）致力于不断推出高性能、节省空间的器件，新推出的五款保护器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563单封装内集成了多个瞬变电压抑制（TVS）元件。这些SOT5xx封装TVS器件不仅符合静电放电（ESD）保护的严格要求，更较传统的SC88封装减少电路板空间达36%，降低厚度40%。它们可理想应用于重视电路板空间的便携设备，例如手机、数字照相机、MP3播放器、掌上游戏机以及PDA。安森美半导体副总裁兼集成电源产品总经理Ramesh Ramc
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安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）不断提升产品性能，在其品种全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封装。这五十款器件[包括瞬变电压抑制（TVS）元件与肖特基二极管]现已提供低厚度的扁平引脚封装。今年稍后，将有更多新型封装的器件面世。安森美半导体副总裁兼标准元件部总经理Charlotte Diener说：“由于SOD-123FL优化电路板空间占用每单位内的功率耗散，该封装是便携与无线电路板设计所需之TVS元件与肖特基二极管的理想选择，此类设计必须符合电源管理和保护的严格要求。” SO
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出MicroPak 8 新型8引脚芯片级无引脚封装，具备1、2和3位逻辑和开关功能。全新的TinyLogic
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飞兆半导体 封装
封装介绍
程序 封装 (encapsulation)
隐藏对象的属性和实现细节，仅对外公开接口,控制在程序中属性的读和修改的访问级别.
封装 (encapsulation)
封装就是将抽象得到的数据和行为(或功能)相结合，形成一个有机的整体，也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合，形成“类”，其中数据和函数都是类的成员。
封装的目的是增强安全性和简化编程，使用者不必了解具体的 [
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